一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法技术

本发明专利技术公开一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法，属于微机电系统(MEMS)和微纳米加工技术领域。首先，在施主基片表面沉积一层牺牲层，牺牲层表面制作出需要转印的纳米图形。其次，将图章贴合在施主基片表面，然后再从施主基片表面剥离，使得纳米图形和牺牲层一起被转移到图章表面，再采用湿法腐蚀工艺，去除图章表面的牺牲层。最后，将图章贴合在受主基片表面后，再将图章从受主基片表面剥离，使得纳米图形转印到受主基片表面。本发明专利技术提供的纳米图形转印方法不需要对图章表面进行任何加工，也不需要对受主基片表面进行任何化学处理，而且对于转印图形的材料没有限制，工艺简单、通用性好。

A sacrificial layer assisted nanographic transfer method

【技术实现步骤摘要】
一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法
本专利技术属于微机电系统(MEMS)和微纳米加工
，具体涉及一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法。技术背景转印(transferprinting)是指借助图章(stamp)将制作在施主基片(donorsubstrate)上的图形转移到受主基片(receiversubstrate)上的技术，因其具有兼容性强、常温操作等优点，被广泛应用于柔性可穿戴电子、柔性显示等领域。目前，研究人员已专利技术了多种转印方法，但绝大多数转印方法只能够实现微米图形的转印，只有少数几种方法能够实现纳米图形转印。然而，现有的这几种纳米图形转印方法工艺复杂、通用性较差。例如，美国西北大学的Rogers教授课题组提出的纳米图形转印方法需要在图章表面加工出复杂的微纳米结构，而且需要针对不同的转印图形材料对受主基片表面进行特定的化学处理；再如，美国哈佛大学的Whitesides教授课题组提出的纳米转印方法，需要利用挤压和紫外固化工艺在图章表面生成一层硫醇烯薄膜，这层薄膜在图形转印完成后还需要利用氧等离子体刻蚀去除，而且该方法只能够实现金属图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法，其特征在于，步骤如下：/n(1)在施主基片表面沉积一层牺牲层；/n(2)在牺牲层表面制作出需要转印的纳米图形；/n(3)将图章贴合在施主基片表面，然后再从施主基片表面剥离，使得纳米图形和牺牲层一起被转移到图章表面；/n(4)利用湿法腐蚀工艺，去除图章表面的牺牲层；/n(5)将图章贴合在受主基片表面；/n(6)将图章从受主基片表面缓慢剥离，使得纳米图形转印到受主基片表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法，其特征在于，步骤如下：
(1)在施主基片表面沉积一层牺牲层；
(2)在牺牲层表面制作出需要转印的纳米图形；
(3)将图章贴合在施主基片表面，然后再从施主基片表面剥离，使得纳米图形和牺牲层一起被转移到图章表面；
(4)利用湿法腐蚀工艺，去除图章表面的牺牲层；
(5)将图章贴合在受主基片表面；
(6)将图章从受主基片表面缓慢剥离，使得纳米图形转印到受主基片表面。


2.根据权利要求1所述的一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法，其特征在于，步骤(1)中，当施主基片材料为聚甲基丙烯酸甲酯或者硅时，选择铜薄膜或者金薄膜作为牺牲层。


3.根据权利要求1所述的一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法，其特征在于，步骤(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军山，胡小光，庞博，张之昊，杨馥瑞，张思琪，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21