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一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法技术
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文档序号:24408031
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本发明公开一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法,属于微机电系统(MEMS)和微纳米加工技术领域。首先,在施主基片表面沉积一层牺牲层,牺牲层表面制作出需要转印的纳米图形。其次,将图章贴合在施主基片表面,然后再从施主基片表面剥离,使得纳米图形和牺牲...
该专利属于大连理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过大连理工大学授权不得商用。
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