【技术实现步骤摘要】
检测显示面板像素区晶体管特性的电路及方法
本专利技术一般涉及显示
，具体涉及一种检测检测显示面板像素区晶体管特性的电路及方法。
技术介绍
随着液晶显示技术的不断发展，具有体积小、功耗低、无辐射等优点的薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)逐渐成为显示器件中的主流产品，被日渐广泛的应用在各种电子产品中。TFT-LCD的显示面板包含TFT阵列基板，TFT阵列基板上以像素单元配置有TFT元件和像素电极。TFT器件的阈值电压(Vth)漂移会导致显示屏的部分区域显示发暗，参照图1，表现为显示不均(Muro)。这种由于TFT特性漂移导致的Muro现象在显示器制作完成后的短时间内不能表现出来，生产出货前无法检测出来，一般在显示屏长时间工作后才能显现出来，会造成重大的产品不良事故。因此在生产显示面板这一环节，亟需在短时间内检测出像素区TFT特性，以筛选出具有显示不良倾向的显示面板，从而提高产品良率。
技术实现思路
鉴于现有技术...
【技术保护点】
1.一种检测显示面板像素区晶体管特性的电路，包括：m行栅线、n列数据线以及多个呈mxn阵列排布的子像素单元，所述子像素单元包括第一晶体管和子像素电极，每行所述第一晶体管的栅极与所在行对应的栅线相连，每列所述第一晶体管的第一极与所在列对应的数据线相连，其特征在于，/n所述第一晶体管响应于第一信号线提供的第一控制信号导通；/n每行的第i个子像素电极和第i+1个子像素电极连接第二晶体管，所述第二晶体管响应于第二信号线提供的第二控制信号导通，所述第二晶体管响应于所述第二信号线提供的第三控制信号关闭；/n在所述第二晶体管导通的状态下，第i列数据线接入第一奇数列信号，第i+1列数据线接...
【技术特征摘要】
1.一种检测显示面板像素区晶体管特性的电路，包括：m行栅线、n列数据线以及多个呈mxn阵列排布的子像素单元，所述子像素单元包括第一晶体管和子像素电极，每行所述第一晶体管的栅极与所在行对应的栅线相连，每列所述第一晶体管的第一极与所在列对应的数据线相连，其特征在于，
所述第一晶体管响应于第一信号线提供的第一控制信号导通；
每行的第i个子像素电极和第i+1个子像素电极连接第二晶体管，所述第二晶体管响应于第二信号线提供的第二控制信号导通，所述第二晶体管响应于所述第二信号线提供的第三控制信号关闭；
在所述第二晶体管导通的状态下，第i列数据线接入第一奇数列信号，第i+1列数据线接入第一偶数列信号，以对各个所述第一晶体管进行老化；
在所述第二晶体管关闭的状态下，第i列数据线接入第二奇数列信号，第i+1列数据线接入第二偶数列信号，以显示成像画面，其中，所述m为正整数，所述n为偶数，所述i为奇数且所述i小于所述n。
2.根据权利要求1所述的检测显示面板像素区晶体管特性的电路，其特征在于，每列所述数据线对应连接一个第三晶体管，每个所述第三晶体管的栅极连接所述第一信号线，每个所述第三晶体管的第一极与对应的数据线相连，第i列数据线所连接的第三晶体管的第二极连接第三信号线，第i+1列数据线所连接的第三晶体管的第二极连接第四信号线，所述第三晶体管响应于所述第一控制信号导通；
在所述第二晶体管导通的状态下，所述第三信号线接入第一奇数列信号，所述第四信号线接入第一偶数列信号；
在所述第二晶体管关闭的状态下，所述第三信号线接入第二奇数列信号，所述第四信号线接入第二偶数列信号。
3.根据权利要求1所述的检测显示面板像素区晶体管特性的电路，其特征在于，每行所述栅线对应连接一个第四晶体管，每个所述第四晶体管的栅极和第一极均连接所述第一信号线，每个所述第四晶体管的第二极与对应的栅线相连，所述第四晶体管响应于所述第一控制信号导通。
4.根据权利要求1所述的检测显示面板像素区晶体管特性的电路，其特征在于，
所述第一控制信号为第一电平电压，所述第一电平电压为10V～30V；
所述第二控制信号为第二电平电压，所述第二电平电压为10V～30V；
所述第三控制信号为第三电平电压，所述第三电平电压为-30V～-10V。
5.根据权利要求1所述的检测显示面板像素区晶体管特性的电路，其特征在于，
所述第一奇数列信号和所述第一偶数列信号之一为正负交替的周期性方波电压，另一个为接地信号；或者，
所述第一奇数列信号和所述第一偶数列信号之一为正负交替的周期性方波电压，所述第一偶数列信号和所述第一奇数列信号互为反相信号。
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：张金刚，肖立川，聂军，何启东，翟玲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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