用于化学机械研磨系统的平台技术方案

本公开实施例提供一种用于化学机械研磨系统的平台。上述平台包括在平台之中的一或多个凹部，以安置用于研磨/平坦化工艺的各种构件。平台包括第一凹部以及第二凹部。第一凹部位于第二凹部之下。终点检测器放置在第一凹部中，且检测器盖可被放置在第二凹部中。密封装置被提供在终点检测器与检测器盖之间的空间，以防止任何外部或外来的材料接触终点检测器。拴件被用以将检测器盖拴至平台，也提供附加的防护以防止外来的材料接触被容纳在凹部的构件。

Platform for chemical mechanical grinding system

【技术实现步骤摘要】
用于化学机械研磨系统的平台
本公开实施例涉及一种平台，尤其涉及一种用于化学机械研磨系统的平台。
技术介绍
化学机械研磨或化学机械平坦化(chemicalmechanicalpolishing/chemicalmechanicalplanarization，CMP)在半导体制造中是很重要的步骤。化学机械研磨/平坦化运用化学及机械交互作用而结合的效果以研磨及平坦化表面。也就是说，化学机械研磨/平坦化是被用以达成一或多个材料层的实质上平坦且平滑的表面，例如工件(例如半导体晶片)上的半导体、电介质及金属化层。当目的为去除表面材料时，CMP是指化学机械研磨。另一方面，当目的为将表面扁平化时，CMP是指化学机械平坦化。此制造工艺是用以制作例如集成电路、微处理器、存储器晶片等。用于研磨及平坦化工件上的材料层的化学机械研磨/平坦化工艺的其中一步骤为在工件及垫之间分配化学研磨浆，且此工件被施加下压力(downforce)而接触此垫。研磨浆(slurry)通常为具有磨料及腐蚀特征的腐蚀剂。为了以后的使用，在研磨浆被施加且化学机械研磨/平坦化工艺完成之后，垫本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于化学机械研磨系统的平台，包括：/n一单元式平台，包括在该平台的一面上的一上方表面、在该平台的一相反面的一下方表面以及一轴，且在操作中该平台绕着该轴旋转；/n一第一凹部部分，在该平台的该上方表面中，该第一凹部部分具有从该上方表面延伸至该平台之中的一深度，以及平行该上方表面的一横向尺寸；以及/n一第二凹部部分，在该平台中，该第二凹部部分具有一深度且从该第一凹部部分的一底部朝向该平台的该下方表面而延伸至该平台之中，该第二凹部部分具有平行该上方表面的一横向尺寸，该第二凹部部分的该横向尺寸与该第一凹部部分的该横向尺寸不同。/n

【技术特征摘要】
20181128 US 62/772,600;20191101 US 16/672,0991.一种用于化学机械研磨系统的平台，包括：
一单元式平台，包括在该平台的一面上的一上方表面、在该平台的一相反面的一下方表面以及一轴，且在操作中该平台绕着该轴旋转；
一第...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖宗龙，陈政炳，陈世忠，彭升泰，洪荣隆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71