一种共阴极半导体发光管驱动电路制造技术

本实用新型专利技术的目的是提供一种共阴极半导体发光管驱动电路，包括多路晶体管驱动单元、多路充放电回路、共用电容C、共用二极管D、共阴极发光管、上管晶体管、下管晶体管，有益效果在于本驱动电路用于共阴极发光管，外围器件少，电路简单，性能稳定，多路共阴极发光管相互不影响，有效的解决驱动模块体积大、成本高、结构复杂等问题，有利于多线激光器的小型化设计。

A driving circuit of common cathode semiconductor LED

【技术实现步骤摘要】
一种共阴极半导体发光管驱动电路
本技术涉及半导体激光器
，特别涉及一种共阴极半导体发光管驱动电路。
技术介绍
近年来，脉冲半导体激光器已在激光雷达、激光测距等众多领域中得到广泛的应用，在短脉冲工作模式下的半导体激光器，一般采用储能元件的放电过程来驱动激光二极管发光，其缺陷是产生的脉冲峰值驱动电流大，上升沿快，占空比小，平均功率低。目前普遍的半导体激光器是独立进行发光，不便于激光器的小型化和低成本，共阴极激光管的出现给激光雷达的小型化带来了希望，传统的共阴极激光器驱动电路使用的开关管为PMOS管或者NMOS管，使用PMOS管时存在选型少，驱动电路较为复杂的问题，使用NMOS管时驱动电路通常为高压自举驱动，且驱动电路的器件会对激光管放电回路造成不良影响。因此，当前亟待设计一种新型的共阴极半导体发光管驱动电路来解决上述问题。
技术实现思路
针对上述问题，本技术实施例提供了一种共阴极半导体发光管驱动电路。本技术的目的是提供一种共阴极半导体发光管驱动电路，包括多路晶体管驱动单元、多路充放电回路、储能单元、二极管单元、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种共阴极半导体发光管驱动电路，其特征在于，/n包括多路晶体管驱动单元，多路充放电回路、储能单元、二极管单元、晶体管单元、共阴极半导体发光管单元、反向抑制单元；/n其中所述的多路充放电回路中的每一路充电回路均包括电容C、上晶体管Q1、二极管D，其中所述电容C的一端连接所述上晶体管Q1漏极另一端连接发光管共阴极，所述二极管D一端连接发光管共阴极一端连接GND；/n所述的多路充放电回路中的一路放电回路包括上晶体管Q1、下晶体管Q2、电容C，其中所述上晶体管Q1源极连接发光管阳极，所述下晶体管Q2一端连接发光管阳极另一端极连接GND，电容C一端连接上晶体管Q1漏极一端连接发光管共阴极。/n

【技术特征摘要】
1.一种共阴极半导体发光管驱动电路，其特征在于，
包括多路晶体管驱动单元，多路充放电回路、储能单元、二极管单元、晶体管单元、共阴极半导体发光管单元、反向抑制单元；
其中所述的多路充放电回路中的每一路充电回路均包括电容C、上晶体管Q1、二极管D，其中所述电容C的一端连接所述上晶体管Q1漏极另一端连接发光管共阴极，所述二极管D一端连接发光管共阴极一端连接GND；
所述的多路充放电回路中的一路放电回路包括上晶体管Q1、下晶体管Q2、电容C，其中所述上晶体管Q1源极连接发光管阳极，所述下晶体管Q2一端连接发光管阳极另一端极连接GND，电容C一...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦坤朋，马刚，王泮义，周浩，
申请(专利权)人：北京万集科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11