基于红外及红色可见光应用的半导体发光结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种基于红外及红色可见光应用的半导体发光结构，通过所述P型DBR层配合能穿透不同波段的外延衬底的应用，同时，将所述P型DBR层设置于所述P型半导体层的水平表面，相比于传统的红光芯片将DBR层设置在衬底和N型半导体层之间，能增加半导体发光结构的反射面积，进而提高其发光亮度，且能同时适用于红色可见光和红外光的LED芯片；其次，当将本实用新型专利技术所提供的半导体发光结构应用于红色可见光LED芯片时，通过将其衬底设为GaP衬底材料，在增加半导体发光结构的反射面积的同时，简化了产品的工艺，并降低产品成本，避免了在砷化镓材料衬底上设DBR层时，必须通过键合及衬底转移工艺才能解决的吸光问题。

Semiconductor luminescent structure based on infrared and red visible light applications

【技术实现步骤摘要】
基于红外及红色可见光应用的半导体发光结构
本申请涉及半导体
，更具体地说，涉及一种基于红外及红色可见光应用的半导体发光结构。
技术介绍
随着技术的发展，半导体发光结构已经对信息，通信和能量转换应用作出了巨大贡献。生长衬底，作为半导体发光结构的重要组成部分；在生长衬底上形成半导体发光结构所必需的半导体外延结构，并且半导体外延结构也由生长衬底支撑。因此，重要的是选择合适的生长衬底来生长半导体发光结构的高质量半导体外延结构。然而，适合于生长的衬底有时不适合于支撑。以发光二极管为例，在已知的红光元件工艺中，为了提升元件的成长品质，会选择晶格常数与半导体外延结构较为接近，但不透明的砷化镓(GaAs)基板作为生长衬底。然而，对于以发光为操作目的的发光二极管元件而言，在操作过程中，不透明的生长衬底会造成元件的发光效率下降。由于用于光结构的生长衬底和支撑衬底应满足不同的条件，因此开发了衬底转移技术。即半导体外延结构首先生长在生长衬底上，然后将半导体外延结构转移到支撑衬底上进行后续的制作工艺。将半导体外延结构从生长衬底转移到支撑衬底的步骤包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于红外及红色可见光应用的半导体发光结构，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底包括相对波段设置且能穿透所述波段的衬底材料，且所述衬底沿水平表面包括第一区域和第二区域；/n位于所述衬底表面的外延结构，所述外延结构包括在所述衬底的第一区域表面依次堆叠的N型半导体层、MQW量子阱层、P型半导体层、P型DBR层和透明导电层；/n绝缘层，所述绝缘层包围所述外延结构侧壁、所述外延结构背离所述衬底的一侧表面和所述衬底的部分第二区域表面；/n在所述外延结构背离所述衬底的一侧表面的所述绝缘层上设有第一电极凹槽，且所述第一电极凹槽贯穿所述绝缘层；/n在所述衬底的第二区域表面的所述绝缘层上设有第二电极凹槽，...

【技术特征摘要】
1.一种基于红外及红色可见光应用的半导体发光结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括相对波段设置且能穿透所述波段的衬底材料，且所述衬底沿水平表面包括第一区域和第二区域；
位于所述衬底表面的外延结构，所述外延结构包括在所述衬底的第一区域表面依次堆叠的N型半导体层、MQW量子阱层、P型半导体层、P型DBR层和透明导电层；
绝缘层，所述绝缘层包围所述外延结构侧壁、所述外延结构背离所述衬底的一侧表面和所述衬底的部分第二区域表面；
在所述外延结构背离所述衬底的一侧表面的所述绝缘层上设有第一电极凹槽，且所述第一电极凹槽贯穿所述绝缘层；
在所述衬底的第二区域表面的所述绝缘层上设有第二电极凹槽，且所述第二电极凹槽贯穿所述绝缘层；
通过所述第一电极凹槽与所述透明导电层连接的第一电极；
第二电极，所述第二电极通过所述第二电极凹槽与所述衬底的第二区域表面进行欧姆接触，并延伸至设于所述外延结构表面的所述绝缘层的表面；所述第二电极与所述第一电极间隔设置。


2.根据权利要求1所述的基于红外及红色可见光应用的半导体发光结构，其特征在于，所述半导体发光结构应用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，许晏铭，彭钰仁，
申请(专利权)人：厦门乾照半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35