一种非晶钨基高熵合金薄膜材料及制备方法技术

一种非晶钨基高熵合金薄膜材料及制备方法，属于高熵合金薄膜材料技术领域。为WTaCrVTiZrAl七元高熵合金，各元素在高熵合金中所占原子百分比范围为：W 10‑40％，Ta 5‑30％，Cr 5‑25％，V 5‑15％，Ti 5‑15％，Zr 5‑25％，Al 5％‑20％，该合金为非晶相，其X射线衍射(XRD)半峰宽均大于3°。本发明专利技术不用低温就能制备高熵非晶合金材料，采用常规的合金薄膜的制备方法如磁控溅射、脉冲激光沉积、电子束蒸发等。

A kind of amorphous tungsten based high entropy alloy film material and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种非晶钨基高熵合金薄膜材料及制备方法
本专利技术属于高熵合金薄膜材料
，特别涉及一种新型钨基非晶高熵合金薄膜材料及制备方法。
技术介绍
传统合金的设计理念以1种或2种元素为主，添加少量其它元素为辅来改变或优化性能，但经过多年的开发，传统合金的性能已经趋于瓶颈，高熵合金于2004年首次被报道，它打破了传统合金以混合焓为主的单主元成分设计理念，转以构型熵为主设计的一类新型多主元金属材料。高熵合金依据成分一般定义为包含5种及以上组成元素，且每个组元原子分数在5％到35％之间的合金，一般形成单相固溶体，具有优于传统合金的力学、热学和物理性能，如高强度、高硬度、耐高温、耐辐照和耐腐蚀性等。高熵非晶拥有紧密拓扑结构的同时还存在着高度的化学无序状态,使其兼具高熵合金和传统非晶的综合特点，并且在一些性能上会更加优异。目前钨基高熵合金体系中研究较多的为BCC结构的NbMoTaW体系高熵合金，非晶相的钨基高熵合金未见报道。本专利技术涉及一种具有非晶结构特征的钨基高熵合金薄膜材料。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种新型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钨基非晶高熵合金薄膜材料，其特征在于，沉积于衬底表面的高熵合金薄膜材料为WTaCrVTiZrAl七元高熵合金，各元素在高熵合金中所占原子百分比范围为：W 10-40％，Ta 5-30％，Cr 5-25％，V 5-15％，Ti 5-15％，Zr 5-25％，Al 5％-20％，该合金为非晶相。/n

【技术特征摘要】
1.一种钨基非晶高熵合金薄膜材料，其特征在于，沉积于衬底表面的高熵合金薄膜材料为WTaCrVTiZrAl七元高熵合金，各元素在高熵合金中所占原子百分比范围为：W10-40％，Ta5-30％，Cr5-25％，V5-15％，Ti5-15％，Zr5-25％，Al5％-20％，该合金为...

【专利技术属性】
技术研发人员：王喆，沈琦，王波，张铭，吕广宏，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11