【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件、半导体设备及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年6月30日提交的美国临时申请62/692,780的优先权，其标题为“III族氮化物功率器件和基于III族氮化物功率器件的高压集成电路平台”。出于所有目的，以上引用的申请的全部公开内容以引用的方式全部并入到本文中。
本专利技术总体上涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件、半导体设备以及制造相同半导体设备的方法。
技术介绍
以下背景信息可能呈现现有技术的特定方面的示例(例如但不限于方法、事实或常识)，尽管预期它们将有助于进一步教导读者关于现有技术的其他方面，但是不应将它们解释为将本专利技术或其他任何实施例限制于其中叙述或暗示或在其基础上推断出的任何内容。通常，III族氮化物具有适合于高压功率应用的高带隙。根据已知的设计，可通过在硅衬底上形成III族氮化物异质结来制造III族氮化物半导体器件。本领域中已知，与传统的硅基半导体器件相比，宽带隙半导体GaN器件的切换速度更快。应用工程师可利用这一特性来增加电力系统的操作频率，从而减少系统
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n具有第一面和第二面的衬底层；/n第一导电类型的第一外延层，设置在所述衬底层的所述第一面上；/n第二导电类型的第二外延层，设置在所述第一外延层上，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；/n设置在所述第二外延层上的过渡层；/n设置在所述过渡层上的沟道层；/n设置在所述沟道层上的势垒层；以及/n接触所述势垒层并电连接到所述第二外延层的第一电极。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180630 US 62/692,7801.一种半导体器件，包括：
具有第一面和第二面的衬底层；
第一导电类型的第一外延层，设置在所述衬底层的所述第一面上；
第二导电类型的第二外延层，设置在所述第一外延层上，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；
设置在所述第二外延层上的过渡层；
设置在所述过渡层上的沟道层；
设置在所述沟道层上的势垒层；以及
接触所述势垒层并电连接到所述第二外延层的第一电极。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电极通过延伸穿过所述势垒层、所述沟道层和所述过渡层而物理接触所述第二外延层。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述势垒层包括带隙大于所述沟道层的带隙的材料。
4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述势垒层上的第二电极，以及设置在所述衬底层的所述第二面上的第三电极。
5.如权利要求4所述的半导体器件，还包括设置在所述势垒层上并位于所述第一电极和所述第二电极之间的第四电极。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件是III族氮化物半导体器件。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电类型是n-型，并且所述第二导电类型是p-型。
8.一种半导体设备，包括：
具有单个衬底的多个半导体器件；以及
多个沟槽区域，每个沟槽区域包括沟槽，
其中所述单个衬底包括衬底层、设置在所述衬底层上的第一导电类型的第一外延层，以及设置在所述第一外延层上的第二导电类型的第二外延层，
其中所述多个沟槽区域中的每个沟槽穿过所述第二外延层延伸到所述第一外延层中，从而隔离所述多个半导体器件中的相邻半导体器件。
9.如权利要求8所述的半导体设备，其中所述多个半导体器件选自二极管和/或晶体管。
10.如权利要求8所述的半导体设备，其中所述多个沟槽区域的每...
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