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一种半导体设备包括具有单个衬底的多个半导体器件和多个沟槽区域，每个沟槽区域包括沟槽，其中单个衬底包括衬底层、设置在衬底层上的第一导电类型的第一外延层，以及设置在第一外延层上的第二导电类型的第二外延层，其中多个沟槽区域的每个沟槽穿过第二外延层...
该专利属于魏进所有，仅供学习研究参考，未经过魏进授权不得商用。

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