多层堆栈补隙发光半导体结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种多层堆栈补隙发光半导体结构及其制作方法，所述多层堆栈补隙发光半导体结构主要包括一第一基板、复数个第一电极、一补隙层、复数个第一发光单元以及复数个第二发光单元。其中，所述复数个第一发光单元及所述复数个第二发光单元彼此间交错排列，达到补隙的功效。

The structure and fabrication method of multilayer stack gap filled light emitting semiconductor

【技术实现步骤摘要】
多层堆栈补隙发光半导体结构及其制作方法
本专利技术提供了一种多层堆栈补隙发光半导体结构及其制作方法，尤指一种复数个第一发光单元及复数个第二发光单元彼此间交错排列，达到补隙的功效的多层堆栈补隙发光半导体结构。
技术介绍
在现有的面板显示技术中，应用在许多大型广告面板等地方的发光二极管(Light-emittingdiode,LED)面板已经行之有年。在这种需求扩张的前提下，自然会相应产生许多制造以及应用的方式。此外，对于普通面板的应用来说，迷你发光二极管(Minilight-emittingdiode,MiniLED)或微发光二极管(Microlight-emittingdiode,MicroLED)的应用与需求也随着可挠穿戴装置或行动装置面板的兴起而逐渐浮出台面。值得一提的是，无论上述何种发光二极管(Light-emittingdiode,LED)结构，都会面临到每个发光二极管晶粒排列间具有空隙(Gap)的问题。在分辨率尚未能达到肉眼难以辨识的程度之前，这些空隙(Gap)极有可能对观看者带来视觉效果不佳的负面影响。因此，以当前的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层堆栈补隙发光半导体结构，其特征在于，/n一第一基板；/n复数个第一电极，彼此间以一间隔排列设置于所述第一基板上；/n一补隙层，设置于所述间隔上；/n复数个第一发光单元，包括一第三电极，且所述复数个第一发光单元依序设置于所述复数个第一电极上；以及/n复数个第二发光单元，包括一第四电极，且所述复数个第二发光单元依序设置于每个所述补隙层上；/n所述复数个第一发光单元及所述复数个第二发光单元彼此间交错排列。/n

【技术特征摘要】
20181121 TW 1071413861.一种多层堆栈补隙发光半导体结构，其特征在于，
一第一基板；
复数个第一电极，彼此间以一间隔排列设置于所述第一基板上；
一补隙层，设置于所述间隔上；
复数个第一发光单元，包括一第三电极，且所述复数个第一发光单元依序设置于所述复数个第一电极上；以及
复数个第二发光单元，包括一第四电极，且所述复数个第二发光单元依序设置于每个所述补隙层上；
所述复数个第一发光单元及所述复数个第二发光单元彼此间交错排列。


2.根据权利要求1所述的多层堆栈补隙发光半导体结构，其特征在于，所述复数个第一发光单元及所述复数个第二发光单元更包括发光二极管发光层。


3.根据权利要求1所述的多层堆栈补隙发光半导体结构，其特征在于，所述第一基板的材质选自硅、碳化硅、氧化锌、氮化镓及蓝宝石。


4.根据权利要求1所述的多层堆栈补隙发光半导体结构，其特征在于，中所述补隙层包括：
一第二基板；以及，
一第二电极，设于所述第二基板上。


5.根据权利要求1所述的多层堆栈补隙发光半导体结构，其特征在于，所述补隙层包括：
一半切沟槽；以及
一第二电极，形成于所述半切沟槽中。


6.一种多...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡秉谕，林煜喆，
申请(专利权)人：莹耀科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71