温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种多层堆栈补隙发光半导体结构及其制作方法，所述多层堆栈补隙发光半导体结构主要包括一第一基板、复数个第一电极、一补隙层、复数个第一发光单元以及复数个第二发光单元。其中，所述复数个第一发光单元及所述复数个第二发光单元彼此间交错排列，...
该专利属于莹耀科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过莹耀科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。