【技术实现步骤摘要】
发光二极管像素及显示装置本申请是申请日为2018年12月21日、申请号为201880041207.X、专利技术名称为“发光堆叠结构和具有所述发光堆叠结构的显示装置”的分案申请。
本专利技术涉及一种发光二极管像素及显示装置。
技术介绍
最近已经开发了使用发光二极管(LED)实现图像的显示装置。采用所述发光二极管的所述显示装置可以包括分别生长在基底上的红色、绿色和蓝色发光二极管。作为无机光源，发光二极管已经在各种
中使用，例如显示器、车灯和普通照明等。具有寿命长、功耗低和响应速度高的优点，发光二极管已经迅速替代了现有的光源。发光二极管已经主要用作显示设备中的背光光源。然而，已经开发了微LED显示器作为能够直接使用发光二极管实现图像的下一代显示器。通常，显示设备通过使用蓝光、绿光和红光的混合色来实现各种颜色。所述显示设备包括各自具有与蓝色、绿色和红色对应的子像素的像素，并且可以基于其中的所述子像素的颜色来确定特定像素的颜色，并且可以通过所述像素的组合来显示图像。在微LED显示器中，与每...
【技术保护点】
1.一种用于显示装置的发光二极管像素，包括：/n第一LED堆叠；/n第二LED堆叠，位于所述第一LED堆叠的一部分区域上；以及/n第三LED堆叠，位于所述第二LED堆叠的一部分区域上，/n所述第一LED堆叠、第二LED堆叠和第三LED堆叠分别包括第一导电型半导体层和第二导电型半导体层，/n从所述第一LED堆叠生成的光从除所述第二LED所位于的一部分区域之外的区域发射，/n从所述第二LED堆叠生成的光从除所述第三LED所位于的一部分区域之外的区域发射。/n
【技术特征摘要】
20171221 US 62/609,186;20180117 US 62/618,573;20181.一种用于显示装置的发光二极管像素，包括：
第一LED堆叠；
第二LED堆叠，位于所述第一LED堆叠的一部分区域上；以及
第三LED堆叠，位于所述第二LED堆叠的一部分区域上，
所述第一LED堆叠、第二LED堆叠和第三LED堆叠分别包括第一导电型半导体层和第二导电型半导体层，
从所述第一LED堆叠生成的光从除所述第二LED所位于的一部分区域之外的区域发射，
从所述第二LED堆叠生成的光从除所述第三LED所位于的一部分区域之外的区域发射。
2.根据权利要求1所述的用于显示装置的发光二极管像素，其中，
所述第一LED堆叠、第二LED堆叠和第三LED堆叠分别发射彼此不同波长的光。
3.根据权利要求2所述的用于显示装置的发光二极管像素，其中，
所述第一LED堆叠、第二LED堆叠和第三LED分别发射红色光、绿色光及蓝色光。
4.根据权利要求3所述的用于显示装置的发光二极管像素，其中，
还包括：
第一反射层，介于所述第一LED堆叠和所述第二LED堆叠之间；以及
第二反射层，介于所述第二LED堆叠和所述第三LED堆叠之间。
5.根据权利要求4所述的用于显示装置的发光二极管像素，其中，
还包括：
第一透明绝缘层，介于所述第一LED堆叠和所述第一反射层之间；以及
第二透明绝缘层，介于所述第二LED堆叠和所述第二反射层之间。
6.根据权利要求4所述的用于显示装置的发光二极管像素，其中，
还包括：
第一接合层，介于所述第一反射层和所述第二LED堆叠之间；以及
第二接合层，介于所述第二反射层和所述第三LED堆叠之间。
7.根据权利要求6所述的用于显示装置的发光二极管像素，其中，
所述第一接合层和所述第二接合层分别包括金属接合层。
8.根据权利要求1所述的用于显示装置的发光二极管像素，其中，
还包括：
第一-1欧姆电极，与所述第一LED堆叠的第一导电类型半导体层接触；
第一-2欧姆电极，与所述第一LED堆叠的第二导电类型半导体层接触；
第二-1欧姆电极，与所述第二LED堆叠的第一导电类型半导体层接触；
第二-2欧姆电极，与所述第二LED堆叠的第二导电类型半导体层接触；
第三-1欧姆电极，与所述第三LED堆叠的第一导电类型半导体层接触；以及
第三-2欧姆电极，与所述第三LED堆叠的第二导电类型半导体层接触，
所述第一-1欧姆电极在所述第一LED堆叠的一部分区域外侧与所述第一导电类型半导体层接触，
所述第二-1欧姆电极在所述第二LED堆叠的一部分区域外侧与所述第二导电类型半导体层接触。
9.根据权利要求8所述的用于显示装置的发光二极管像素，其中，
所述第一-2欧姆电极包括第一反射层，
所述第一反射层设置在所述第一LED堆叠的下方。
10.根据权利要求9所述的用于显示装置的发光二极管像素，其中，
所述第一-2欧姆电极、所述第二-2欧姆电极和所述第三-2欧姆电极电...
【专利技术属性】
技术研发人员：李贞勋，蔡钟炫，张成逵，李豪埈，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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