一种MICRO LED显示器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了MICRO LED显示器件及其制作方法，显示器件包括：外延基板、绝缘介质、若干透光膜及多种量子点；其中，外延基板的N型GaN及量子阱被分割成多个呈行列排布的柱体状芯片单元；绝缘介质填充在每两个相邻的芯片单元之间；每一个芯片单元所分别对应的N型GaN上均设置有一第一凹槽，且每一个第一凹槽的开口处分别设置有一个用于密封第一凹槽的透光膜；位于同一行或同一列的每三个连续的芯片单元上的三个第一凹槽内填充有至少两种量子点；外延基板的P型GaN接收到驱动电流时，三个连续的芯片单元内可射出红光、绿光及蓝光。本发明专利技术提供的MICRO LED显示器件具有较高的色域。

A micro LED display device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种MICROLED显示器件及其制作方法
本专利技术涉及光电
，尤其涉及一种MICROLED显示器件及其制作方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)作为一种新型的固体光源，已经被广泛应用于显示屏中。目前，MICROLED显示器件主要采用蓝光LED芯片发出蓝光，发出的蓝光中一部分蓝光光子打到荧光粉(比如，黄色荧光粉)上可激发黄光，蓝光和黄光混合形成的复合光即为人眼视觉上的白光。前述MICROLED显示器件形成的白光由蓝光及黄光混合形成，色域偏低。
技术实现思路
本专利技术提供一种MICROLED显示器件及其制作方法，MICROLED显示器件具有较高的色域。第一方面，本专利技术提供了一种MICROLED显示器件，包括：外延基板、绝缘介质、若干透光膜及多种量子点；其中，所述外延基板的N型GaN及量子阱被分割成多个呈行列排布的柱体状芯片单元；所述绝缘介质填充在每两个相邻的所述芯片单元之间；每一个所述芯片单元所分别对应的N型GaN上均设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MICRO LED显示器件，其特征在于，包括：/n外延基板、绝缘介质、若干透光膜及多种量子点；其中，/n所述外延基板的N型GaN及量子阱被分割成多个呈行列排布的柱体状芯片单元；/n所述绝缘介质填充在每两个相邻的所述芯片单元之间；/n每一个所述芯片单元所分别对应的N型GaN上均设置有一第一凹槽，且每一个所述第一凹槽的开口处分别设置有一个用于密封所述第一凹槽的透光膜；/n位于同一行或同一列的每三个连续的所述芯片单元上的三个所述第一凹槽内填充有所述至少两种量子点；/n所述外延基板的P型GaN接收到驱动电流时，三个连续的所述芯片单元内可射出红光、绿光及蓝光。/n

【技术特征摘要】
1.一种MICROLED显示器件，其特征在于，包括：
外延基板、绝缘介质、若干透光膜及多种量子点；其中，
所述外延基板的N型GaN及量子阱被分割成多个呈行列排布的柱体状芯片单元；
所述绝缘介质填充在每两个相邻的所述芯片单元之间；
每一个所述芯片单元所分别对应的N型GaN上均设置有一第一凹槽，且每一个所述第一凹槽的开口处分别设置有一个用于密封所述第一凹槽的透光膜；
位于同一行或同一列的每三个连续的所述芯片单元上的三个所述第一凹槽内填充有所述至少两种量子点；
所述外延基板的P型GaN接收到驱动电流时，三个连续的所述芯片单元内可射出红光、绿光及蓝光。


2.根据权利要求1所述的MICROLED显示器件，其特征在于，
所述至少两种量子点，包括：红光量子点、绿光量子点及蓝光量子点；
所述量子阱包括紫光量子阱；
位于同一行或同一列的每三个连续的所述芯片单元上的三个所述第一凹槽内分别填充有红光量子点、绿光量子点及蓝光量子点。


3.根据权利要求1所述的MICROLED显示器件，其特征在于，
所述至少两种量子点，包括：红光量子点及绿光量子点；
所述量子阱包括蓝光量子阱；
位于同一行或同一列的每三个连续的所述芯片单元上的三个所述第一凹槽中的任意两个当前第一凹槽内分别填充有红光量子点及绿光量子点。


4.根据权利要求1所述的MICROLED显示器件，其特征在于，
所述绝缘介质包括绝缘黑胶；
和/或，
同一行或同一列上每两个相邻的所述芯片单元之间的距离相等。


5.根据权利要求1至4中任一所述的MICROLED显示器件，其特征在于，
还包括：金属基板、一个P电极以及若干个N电极；其中，
所述外延基板的P型GaN通过所述P电极与所述金属基板相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国旭，申崇渝，黄志勇，雷利宁，
申请(专利权)人：易美芯光北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11