一种变电压SiC MOSFET有源驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种变电压SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动电路，电压采样电路、脉冲产生电路和源极电压电路；所述电压采样电路，用于采集SiC MOSFET开关过程中栅源极两端的电压信号，并传输给脉冲产生电路；所述脉冲产生电路，用于根据接收到的电压信号产生脉冲信号，并传输给源极电压电路；所述源极电压电路，用于根据所述脉冲信号输出驱动电压控制信号给SiC MOSFET。优点：本发明专利技术能够通过改变SiC MOSFET驱动电压，抑制SiCMOSFET开关过程中电流变化率，在牺牲较小开关损耗的情况下，抑制器件开关过程中电流、电压过冲和振荡现象。

A variable voltage SiC MOSFET active driver circuit

【技术实现步骤摘要】
一种变电压SiCMOSFET有源驱动电路
本专利技术涉及一种变电压SiCMOSFET有源驱动电路，属于电力电子

技术介绍
与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiMOSFET）相比，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）具有更高的工作温度、更高的热导率和更低的开关损耗，因此正广泛应用于车载充电器、电机和光伏逆变器等领域，但是过高的开关速度会引起器件开关过程中电流、电压过冲和振荡，甚至增加器件的开关损耗，为了推广SiCMOSFET的应用，需要解决该问题。目前有几种方法来解决该问题。一方面，可以通过谐振驱动电路对SiCMOSFET进行驱动，能够有效减少器件开关损耗，但不能解决器件开关过程中电流、电压过冲和振荡问题。另一方面，通过增加器件驱动电路电阻阻值，可以减少器件开关过程中电流、电压过冲和振荡问题，但会增加器件的开关损耗。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种变电压SiCMOSFET有源驱动电路，能够在牺牲较小开关损耗的情况下，抑制器件开关过程中电流、电压过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1. 一种变电压SiC MOSFET有源驱动电路，其特征在于，包括：驱动电路，电压采样电路、脉冲产生电路和源极电压电路；/n所述电压采样电路，用于采集SiC MOSFET开关过程中器件栅源极两端的电压信号，并传输给脉冲产生电路；/n所述脉冲产生电路，用于根据接收到的电压信号产生脉冲信号，并传输给源极电压电路；/n所述源极电压电路，用于根据所述脉冲信号输出驱动电压控制信号给SiC MOSFET；/n所述驱动电路，用于产生SiC MOSFET开关所需的栅极驱动电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种变电压SiCMOSFET有源驱动电路，其特征在于，包括：驱动电路，电压采样电路、脉冲产生电路和源极电压电路；
所述电压采样电路，用于采集SiCMOSFET开关过程中器件栅源极两端的电压信号，并传输给脉冲产生电路；
所述脉冲产生电路，用于根据接收到的电压信号产生脉冲信号，并传输给源极电压电路；
所述源极电压电路，用于根据所述脉冲信号输出驱动电压控制信号给SiCMOSFET；
所述驱动电路，用于产生SiCMOSFET开关所需的栅极驱动电压。


2.根据权利要求1所述的变电压SiCMOSFET有源驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括第一开关管Q1，第二开关管Q2、第一电阻R1和第一节点，其中，所述第一开关管Q1集电极与Vcc1供电电压相连，所述第一开关管Q1发射极与所述第一节点相连，所述第一开关管Q1基极与所述第二开关管Q2基极相连，所述第二开关管Q2发射极与所述第一节点相连，所述第二开关管Q2集电极与Vee1供电电压相连，所述第一电阻R1一端与所述第一节点相连，所述第一电阻R1另一端与所述SiCMOSFET栅极相连，Vcc1和Vee1分别表示SiCMOSFET的栅极开通电压和关断电压。


3.根据权利要求2所述的变电压SiCMOSFET有源驱动电路，其特征在于，所述电压采样电路包括第二电阻R2，第三电阻R3、第一电容C1和第二节点，其中，所述第二电阻R2一端与所述第一节点相连，所述第二电阻R2另一端与所述第二节点相连，所述第三电阻R3一端与所述第二节点相连，所述电三电阻R3另一端接地，所述第一电容C1一端与所述第二节点相...

【专利技术属性】
技术研发人员：李先允，卢乙，倪喜军，王书征，殷帆，
申请(专利权)人：南京工程学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32