本发明专利技术涉及一种薄膜封装结构及薄膜封装方法,该薄膜封装结构包括:第一无机封装层,设置于有机发光二极管器件上,并覆盖有机发光二极管,第一无机封装层包括亲水段和疏水段,亲水段的位置是与有机发光二极管位置相对应,疏水段设置在亲水段两侧;有机封装层,设置于第一无机封装层上,有机封装层是上端面为曲面的微透镜结构;以及第二无机封装层,设置于第一无机封装层及有机封装层上。本发明专利技术通过对薄膜封装结构中的第一无机封装层进行紫外光改性,利用亲水段和疏水段进行搭配,最终在有机发光二极管的发光区域形成的有机封装层是上端面为曲面的微透镜结构,进而提高有机发光二极管的发光率。
Film packaging structure and method
【技术实现步骤摘要】
薄膜封装结构及薄膜封装方法
本专利技术涉及薄膜封装
,特别是涉及一种应用于有机发光二极管器件的薄膜封装,以提高有机发光二极管的出光率的薄膜封结构及薄膜封装方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)器件制备完成后,为防止外界环境中的水汽和氧气侵入器件内部,影响其使用寿命,通常还需要对OLED器件进行封装,薄膜封装(TFE)是目前常见的OLED封装技术之一,其主要采用无机层/有机层/无机层的堆叠方式来形成OLED器件的封装层,其中所述无机薄膜可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、溅射(Sputter)或脉冲激光沉积(PLD)等方法制备。随着新材料和新工艺的不断开发,有机发光二极管(OLED)的理论内量子效率已经接近100%,但其光相合效率仍然很低。因为基板及堆叠的无机层/有机层/无机层的折射率差异,OLED发出的光通量主要有以下三个去向:波导模式、基板模式、及空气模式,而通常只有20%左右的光能出射到器件外。为了提高OLED的出光率,通常所采用的方法包括减少不发光模式、减少全反射和减少波导效应,其中减少全反射可以通过增加覆盖层的粗糙度,涂布微球粒和覆盖微透镜来实现。现有技术中通常所采用的做法是在薄膜封装(TFE)完成后,在薄膜封装(TFE)结构上的第二无机封装层上铺设一层疏水薄膜,并在疏水薄膜上形成数个呈阵列排布的球形微透镜,通过形成的球形微透镜阵列来提高OLED的出光率。但是相邻的两个球形微透镜之间存在一定间隙,水氧可从球形微透镜的间隙透过,对有机发光二极管(OLED)器件封装增强效果不明显。同时,由于现有技术中的疏水薄膜的光透过率不可能达到100%,因此,在薄膜封装(TFE)结构上增设一层疏水薄膜,对OLED的出光率存在一定影响,不仅提高生产成本,而且还无法达到理想的提高OLED的出光率的效果。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种薄膜封装结构及薄膜封装方法,以解决上述技术问题,具体的技术方案如下:一种薄膜封装结构,应用于有机发光二极管器件的薄膜封装,以提高有机发光二极管的出光率,其中薄膜封装结构包括:第一无机封装层,设置于有机发光二极管器件上,并覆盖有机发光二极管,第一无机封装层包括亲水段和疏水段,亲水段的位置是与有机发光二极管位置相对应,疏水段设置在亲水段两侧;有机封装层,设置于第一无机封装层上,有机封装层是上端面为曲面的微透镜结构;以及第二无机封装层,设置于第一无机封装层及有机封装层上。在一种可能的设计中,有机发光二极管器件还包括基板、像素限定层和间隙控制层,有机发光二极管设置于基板上,像素限定层设置于基板上,像素限定层位于有机发光二极管两侧,间隙控制层设置于像素限定层上。在一种可能的设计中,第一无机封装层设置于基板上,并且第一无机封装层覆盖有机发光二极管、像素限定层及间隙控制层。在一种可能的设计中,第一无机封装层的材质为二氧化钛基材料或硅基材料。在一种可能的设计中,有机封装层是以有机墨水为材料,通过旋涂法或喷涂法涂布在第一无机封装层上形成微透镜结构。在一种可能的设计中,微透镜结构的上端面为半圆形曲面,并且半圆形曲面的直径与有机发光二极管的宽度相对应。一种薄膜封装方法,应用于有机发光二极管器件的薄膜封装,以提高有机发光二极管的出光率,其中薄膜封装方法包括以下步骤:于有机发光二极管器件上形成形成第一无机封装层,并使第一无机封装层覆盖有机发光二极管;用紫外光照射第一无机封装层,并通过掩膜板遮挡在第一无机封装层的上方与有机发光二极管对应位置处,以防止紫外光照射在有机发光二极管上,及使第一无机封装层上被紫外光照射段呈疏水性,第一无机封装层上未被紫外光照射段呈亲水性,并且第一无机封装层上呈亲水性的位置是与有机发光二极管的位置相对应;将有机墨水涂布在第一无机封装层上形成有机封装层,并且形成的有机封装层是上端面为曲面的微透镜结构;以及在第一无机封装层及有机封装层上形成第二无机封装层。在一种可能的设计中,第一无机封装层是以二氧化钛基材料或硅基材料为原料,通过原子层沉积法或化学气相沉积法或物理气相沉积法将二氧化钛基材料或硅基材料形成在有机发光二极管器件上。在一种可能的设计中,有机发光二极管器件还包括基板、像素限定层和间隙控制层,有机发光二极管设置于基板上,像素限定层设置于基板上,像素限定层位于有机发光二极管两侧,间隙控制层设置于像素限定层上。在一种可能的设计中,第一无机封装层覆盖有机发光二极管、像素限定层及间隙控制层,并且第一无机封装层与像素限定层及间隙控制层对应位置处的高度大于第一无机封装层与有机发光二极管对应位置处的高度,以使第一无机封装层形成中间向内的凹陷状。在一种可能的设计中,有机墨水是通过印刷或喷涂或旋涂方式涂布在第一无机封装层上。在一种可能的设计中,有机墨水涂布在第一无机封装层上的步骤还包括:静置或震动有机墨水,使有机墨水形成上端面为曲面的液态微透镜结构;以及加热固化液态微透镜结构,使液态微透镜结构形成固态微透镜结构。在一种可能的设计中,微透镜结构的上端面为半圆形曲面,并且半圆形曲面的直径与有机发光二极管的宽度相对应。本专利技术与现有技术相比具有的优点有:1、本专利技术通过对薄膜封装结构中的第一无机封装层进行紫外光改性,利用亲水段和疏水段进行搭配,最终在有机发光二极管的发光区域形成的有机封装层是上端面为曲面的微透镜结构,进而提高有机发光二极管的发光率;2、本专利技术的薄膜封装结构中的有机发光二极管的发光区域为亲水性,两侧为疏水性,进而使得形成的微透镜结构为一个整体的半圆形微透镜结构,由于半圆形微透镜结构的厚度比现有技术的薄膜封装结构中的有机封装层要厚,进而封装效果更好。附图说明利用附图对本专利技术作进一步说明,但附图中的内容不构成对本专利技术的任何限制。图1是本专利技术一实施例的薄膜封装结构封装在有机发光二极管器件上的结构示意图。图2是本专利技术一实施例的有机发光二极管器件的结构示意图。图3是本专利技术一实施例的第一无机封装层形成在有机发光二极管器件上的结构示意图。图4是本专利技术一实施例的紫外光照射第一无机封装层时的结构示意图。图5是本专利技术一实施例的紫外光照射第一无机封装层后的结构示意图。图6是本专利技术一实施例的有机封装层形成在第一无机封装层上的结构示意图。图7是本专利技术一实施例的薄膜封装方法的流程示意图。具体实施方式关于本文中所使用之“第一”、“第二”等,并非特别指称次序或顺位的意思,亦非用以限定本申请,其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的组件或操作而已。本专利技术的一实施例中揭露了一种薄膜封装结构1,请参考图1-6所示,应用于有机发光二极管器件2的薄膜封装,以提高有机发光二极管21的出光率,薄膜封装结构1包括第一无机封装层11、有机封装层12和第二无机封装层13,其中:请参考图5所示,第一无机封装层11设置于有机发光二极管器件2上,并覆盖有机发光二极管本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种薄膜封装结构,应用于有机发光二极管器件的薄膜封装,以提高有机发光二极管的出光率,其特征在于,所述薄膜封装结构包括:/n第一无机封装层,设置于所述有机发光二极管器件上,并覆盖所述有机发光二极管,所述第一无机封装层包括亲水段和疏水段,所述亲水段的位置是与所述有机发光二极管位置相对应,所述疏水段设置在所述亲水段两侧;/n有机封装层,设置于所述第一无机封装层上,所述有机封装层是上端面为曲面的微透镜结构;以及/n第二无机封装层,设置于所述第一无机封装层及所述有机封装层上。/n
【技术特征摘要】
1.一种薄膜封装结构,应用于有机发光二极管器件的薄膜封装,以提高有机发光二极管的出光率,其特征在于,所述薄膜封装结构包括:
第一无机封装层,设置于所述有机发光二极管器件上,并覆盖所述有机发光二极管,所述第一无机封装层包括亲水段和疏水段,所述亲水段的位置是与所述有机发光二极管位置相对应,所述疏水段设置在所述亲水段两侧;
有机封装层,设置于所述第一无机封装层上,所述有机封装层是上端面为曲面的微透镜结构;以及
第二无机封装层,设置于所述第一无机封装层及所述有机封装层上。
2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述有机发光二极管器件还包括基板、像素限定层和间隙控制层,所述有机发光二极管设置于所述基板上,所述像素限定层设置于所述基板上,所述像素限定层位于所述有机发光二极管两侧,所述间隙控制层设置于所述像素限定层上。
3.根据权利要求2所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述第一无机封装层设置于基板上,并且第一无机封装层覆盖所述有机发光二极管、所述像素限定层及所述间隙控制层。
4.根据权利要求1所述的薄膜封装结构,其特征在于,所述第一无机封装层的材质为二氧化钛基材料或硅基材料。
5.根据权利要求1所述的薄膜封装方法,其特征在于,所述有机封装层是以有机墨水为材料,通过旋涂法或喷涂法涂布在所述第一无机封装层上形成所述微透镜结构。
6.根据权利要求1所述的薄膜封装方法,其特征在于,所述微透镜结构的上端面为半圆形曲面,并且所述半圆形曲面的直径与所述有机发光二极管的宽度相对应。
7.一种薄膜封装方法,应用于有机发光二极管器件的薄膜封装,以提高有机发光二极管的出光率,其特征在于,所述薄膜封装方法包括以下步骤:
于所述有机发光二极管器件上形成形成第一无机封装层,并使所述第一无机封装层覆盖所述有机发光二极管;
用紫外光照射所述第一无机封装层,并通过掩膜板遮挡在所述第一无机封装层的上方与所述有机发光二极管对应位置处,以防止所述紫外光照射在所述有机发光二极管...
【专利技术属性】
技术研发人员:欧阳攀,
申请(专利权)人:陕西坤同半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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