OLED显示面板的像素的共振腔结构和OLED显示面板制造技术

一种OLED显示面板(1000)的像素(100)的共振腔结构(10)。共振腔结构(10)包括形成有通槽(122)并具有通槽侧面(1222)的PDL(12)、形成于通槽(122)内的共振腔(14)和形成于通槽(122)内且覆盖通槽侧面(1222)的反射膜(16)。共振腔(14)通过在PDL(12)上覆盖反射膜(16)，可将射向PDL(12)的光线反射回共振腔(14)从而能最终出光，提高出光效率。

Resonant cavity structure of OLED display panel and OLED display panel

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】OLED显示面板的像素的共振腔结构和OLED显示面板
本专利技术涉及显示器
，特别涉及一种有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)显示屏的像素的共振腔结构和OLED显示面板。
技术介绍
相关技术中的OLED显示面板的像素的共振腔结构在像素定义层(Pixel Define Layer，PDL)形成的通槽内形成有共振腔。工作时，共振腔内的部分光线可能射向PDL并被PDL材料吸收或折射出共振腔，无法最终出射，导致OLED显示面板的像素的出光效率下降。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种OLED显示面板的像素的共振腔结构。本专利技术实施方式的共振腔结构可以用于OLED显示面板的像素。共振腔结构包括PDL、共振腔和反射膜。PDL形成有通槽并包括有通槽侧面。共振腔形成于通槽内，反射膜形成于通槽内且覆盖通槽侧面。本专利技术实施方式的OLED显示面板包括TFT基板和多个形成于TFT基板上且呈阵列排布的像素，每个像素包括共振腔结构。本专利技术实施方式的共振腔结构和OLED显示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共振腔结构，用于OLED显示面板的像素，其特征在于，所述共振腔结构包括：/nPDL，所述PDL形成有通槽并包括有通槽侧面；/n形成于所述通槽内的共振腔；和/n形成于所述通槽内且覆盖所述通槽侧面的反射膜。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种共振腔结构，用于OLED显示面板的像素，其特征在于，所述共振腔结构包括：
PDL，所述PDL形成有通槽并包括有通槽侧面；
形成于所述通槽内的共振腔；和
形成于所述通槽内且覆盖所述通槽侧面的反射膜。


如权利要求1所述的共振腔结构，其特征在于，所述PDL由有机光刻胶制成。


如权利要求1所述的共振腔结构，其特征在于，所述通槽呈倒圆台形，所述通槽侧面为向上向外倾斜的斜面。


如权利要求1所述的共振腔结构，其特征在于，所述反射膜对预定波长范围的光线的反射率大于预定值，而对所述预定波长范围外的光线的反射率小于所述预定值。


如权利要求4所述的共振腔结构，其特征在于，所述反射膜包括高折射率层和低折射率层交替堆叠结构，所述高折射率的折射率大于等于1.97，所述低折射率层的低折射率小于等于1.38。


如权利要求4所述的共振腔结构，其特征在于，所述高折射率层的厚度为68.52nm，所述低折射率层厚度为97.83nm。


如权利要求4所述的共振腔结构，其特征在于，所述高折射率层采用ZrO2制成，所述低折射率层采用MgO2制成。


如权利要求4所述的共振腔结构，其特征在于，所述高折射率层包括第1、3、5、7、9层，所述低折射率层包括第2、4、6、8层。


如权利要求1所述的共振腔结构，其特征在于，所述共振腔结构包括：
阳极层，所述PDL形成于所述阳极层上；
空穴层，所述空穴层形成于所述阳极层上；
发光层，所述发光层形成于所述空穴层上；
电子层，所述电子层形成于所述发光层上；
阴极层，所述阴极层形成于所述电子层上；
所述阳极层和所述阴极层构成...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪定洋，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44