【技术实现步骤摘要】
一种近红外光电探测器
本技术涉及探测器领域，具体为一种近红外光电探测器。
技术介绍
近红外光电探测器在民用和军事中有着广泛的应用中，如航空航天、光通信、工业控制、近红外成像等领域。近红外光电探测器的原理是基于光电效应——红外辐射的光子在半导体内激发非平衡载流子，引起了其电学性能变化，从而被仪器设备所探测到。商用的近红外探测器如Si的探测极限是～1107nm(Si的带隙为1.12ev)。通常，在900-1107nm的探测非常微弱。而近红外从1107nm-2500nm常采用InGaAs作为探测器，这种探测器价格昂贵，一般在几十万元左右。基于HgCdTe的探测器虽然能在近红外和中红外探测，但其包含有毒的汞，并且需要制冷。因此迫切需要找到一种低成本红外探测器。2011年，Knight等人展示了一种基于等离激元纳米天线和硅的自由空间热电子近红外光电探测器，能够探测硅带隙能量以下的近红外光(Science2011；332:702–4)。该器件的工作原理如下：等离激元纳米天线同时用作光收集器和电子发射器。光在被等离激元天线吸收后，...
【技术保护点】
1.一种近红外光电探测器，其特征在于：从下到上依次包括背电极层、掺杂半导体层、前电极层；所述前电极层设置于掺杂半导体层的顶面一侧，在所述前电极层的内侧面设置有与所述前电极层的侧面夹角相交的多个相互间平行设置的纳米结构层；所述纳米结构层和前电极层形成一相交的梳子状结构；所述纳米结构层和前电极层均设置在掺杂半导体层上。/n
【技术特征摘要】
1.一种近红外光电探测器，其特征在于：从下到上依次包括背电极层、掺杂半导体层、前电极层；所述前电极层设置于掺杂半导体层的顶面一侧，在所述前电极层的内侧面设置有与所述前电极层的侧面夹角相交的多个相互间平行设置的纳米结构层；所述纳米结构层和前电极层形成一相交的梳子状结构；所述纳米结构层和前电极层均设置在掺杂半导体层上。
2.根据权利要求1所述的近红外光电探测器，其特征在于：所述背电极层材质为Ti3C2TX薄膜。
3.根据权利要求1所述的近红外光电探测器，其特征在于：所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：余鹏，王志明，马翠苹，巫江，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：新型
国别省市：四川;51
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