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本实用新型公开了一种近红外光电探测器，从下到上依次包括背电极层、掺杂半导体层、前电极层；所述前电极层设置于掺杂半导体层的顶面一侧，在所述前电极层的内侧面设置有与所述前电极层的侧面夹角相交的多个相互间平行设置的纳米结构层；所述纳米结构层和前电...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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