一种钝化接触太阳能电池及其制作方法技术

本申请公开了一种钝化接触太阳能电池制作方法，包括在硅衬底的正面形成扩散层；在硅衬底的背面进行预处理形成第一氧化层；在第一氧化层背离硅衬底的表面形成第二氧化层；在第二氧化层背离第一氧化层的表面形成掺杂型非晶硅层；在扩散层背离硅衬底的表面形成第一钝化层，并在掺杂型非晶硅层背离第二氧化层的表面形成第二钝化层；在第一钝化层背离扩散层的表面形成第一电极，并在第二钝化层背离掺杂型非晶硅层的表面形成第二电极。在硅衬底的背面先形成第一氧化层，再形成第二氧化层，由于第一氧化层均匀性好，有利于形成更加均匀的第二氧化层，提高整片电池的钝化均匀性，进而提高电池的转换效率。本申请还提供一种具有上述优点的电池。

A passive contact solar cell and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种钝化接触太阳能电池及其制作方法
本申请涉及光伏电池
，特别是涉及一种钝化接触太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
随着光伏行业的发展，提升太阳能电池的转换效率成为光伏企业追求的目标。钝化接触(TunnelOxidePassivatedContact，TOPCon)技术是在电池的背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，以形成钝化接触结构，具有高效率、长寿命、无LID和弱光响应好等优点。隧穿氧化层的制备方法主要有硝酸氧化法、热氧化法、臭氧水氧化法和紫外臭氧氧化法，其中，热氧化法因具有工艺简单的优点，适合量产，成为氧化层的主要制备方法。但是，热氧化法形成的氧化层不均匀，垂直放置硅片时形成的氧化层底部偏薄，水平放置硅片时氧化层容易中间偏薄，氧化层不均匀严重影响电池的钝化效果及电池效率的提升。因此，如何改善钝化接触电池中氧化层的均匀性应是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种钝化接触太阳能电池及其制作方法，以提升钝化接触太阳能电池中氧化层的均匀性。为解决上述技术问题，本申请提供一种钝化接触太阳能电池制作方法，包括：在硅衬底的正面形成扩散层；在所述硅衬底的背面进行预处理形成第一氧化层；在所述第一氧化层背离所述硅衬底的表面形成第二氧化层；在所述第二氧化层背离所述第一氧化层的表面形成掺杂型非晶硅层；在所述扩散层背离所述硅衬底的表面形成第一钝化层，并在所述掺杂型非晶硅层背离所述第二氧化层的表面形成第二钝化层；在所述第一钝化层背离所述扩散层的表面形成第一电极，并在所述第二钝化层背离所述掺杂型非晶硅层的表面形成第二电极。可选的，在所述硅衬底的背面进行预处理形成第一氧化层包括：利用湿法氧化法，在所述硅衬底的所述背面进行预处理形成所述第一氧化层。可选的，利用湿法氧化法形成所述第一氧化层时，药液为HCl和H2O2的混合溶液。可选的，所述药液中HCL的体积分数为10％至15％，H2O2的体积分数为10％至15％，包括所有端点值。可选的，在所述硅衬底的背面进行预处理形成第一氧化层包括：利用臭氧氧化法，在所述硅衬底的所述背面进行预处理形成所述第一氧化层。可选的，在硅衬底的正面形成扩散层之前，还包括：对所述硅衬底进行制绒处理。可选的，在所述第一氧化层背离所述硅衬底的表面形成第二氧化层包括：利用热氧化法，在所述第一氧化层背离所述硅衬底的表面形成所述第二氧化层。本申请还提供一种钝化接触太阳能电池，所述钝化接触太阳能电池由上述任一种所述的钝化接触太阳能电池制作方法得到，所述钝化接触太阳能电池包括由下至上依次层叠的第二电极、第二钝化层、掺杂型非晶硅层、第二氧化层、第一氧化层、硅衬底、扩散层、第一钝化层、第一电极。可选的，所述第二氧化层的厚度取值范围为1.2纳米至1.5纳米，包括端点值。可选的，所述掺杂型非晶硅层的厚度取值范围为70纳米至200纳米，包括端点值。本申请所提供的钝化接触太阳能电池制作方法，包括在硅衬底的正面形成扩散层；在所述硅衬底的背面进行预处理形成第一氧化层；在所述第一氧化层背离所述硅衬底的表面形成第二氧化层；在所述第二氧化层背离所述第一氧化层的表面形成掺杂型非晶硅层；在所述扩散层背离所述硅衬底的表面形成第一钝化层，并在所述掺杂型非晶硅层背离所述第二氧化层的表面形成第二钝化层；在所述第一钝化层背离所述扩散层的表面形成第一电极，并在所述第二钝化层背离所述掺杂型非晶硅层的表面形成第二电极。本申请中的制作方法在硅衬底的背面形成第二氧化层之前，在硅衬底的背面形成第一氧化层，然后在第一氧化层的表面形成第二氧化层，第一氧化层的均匀性好，在第一氧化层的基础上形成第二氧化层，有利于形成更加均匀的第二氧化层，优化第二氧化层膜厚的均匀性，提高整片太阳能电池的钝化均匀性，进而提高太阳能电池的转换效率。此外，本申请还提供一种具有上述优点的钝化接触太阳能电池。附图说明为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例所提供的一种钝化接触太阳能电池制作方法的流程图；图2为本申请实施例所提供的一种钝化接触太阳能电池的结构示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。正如
技术介绍
部分所述，目前在制备钝化接触太阳能电池时，在硅衬底的背面直接形成一层氧化层，该氧化层并不均匀，严重影响电池的钝化效果及电池效率的提升。有鉴于此，本申请提供了一种钝化接触太阳能电池制作方法，请参考图1，图1为本申请实施例所提供的一种钝化接触太阳能电池制作方法的流程图，该方法包括：步骤S101：在硅衬底的正面形成扩散层。具体的，硅衬底为N型硅衬底，利用硼扩散源对N型硅衬底进行扩散处理，并对N型硅衬底的背面和边缘进行刻蚀，以在正面形成PN结。需要指出的是，硅衬底的正面即为太阳能电池的正面，即接收太阳光线照射的表面，硅衬底的背面与正面相背。步骤S102：在所述硅衬底的背面进行预处理形成第一氧化层。步骤S103：在所述第一氧化层背离所述硅衬底的表面形成第二氧化层。可选的，利用热氧化法，在所述第一氧化层背离所述硅衬底的表面形成第二氧化层，以加快第二氧化层的制备速度，进而提升钝化接触太阳能电池制作效率。需要说明的是，第一氧化层和第二氧化层均为氧化硅(SiOx)。优选地，控制第二氧化层的形成厚度在1.2纳米至1.5纳米之间，避免第二氧化层的厚度太薄，在形成掺杂型非晶硅层时，磷容易穿透第二氧化层，则不能起到钝化的作用，同时避免第二氧化层的厚度太厚，当厚度超过一定阈值时，钝化效果并不会继续增强，并且第二氧化层越厚，需要长时间的磷扩散来匹配，不适合量产。步骤S104：在所述第二氧化层背离所述第一氧化层的表面形成掺杂型非晶硅层。具体的，首先采用低压力化学气相沉积法，在第二氧化层背离第一氧化层的表面形成非晶硅层，然后对非晶硅层进行扩散掺杂，形成掺杂型非晶硅层。需要说明的是，硅衬底为N型硅衬底，掺杂型非晶硅层中的掺杂元素为磷。还需要说明的是，在形成掺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钝化接触太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：/n在硅衬底的正面形成扩散层；/n在所述硅衬底的背面进行预处理形成第一氧化层；/n在所述第一氧化层背离所述硅衬底的表面形成第二氧化层；/n在所述第二氧化层背离所述第一氧化层的表面形成掺杂型非晶硅层；/n在所述扩散层背离所述硅衬底的表面形成第一钝化层，并在所述掺杂型非晶硅层背离所述第二氧化层的表面形成第二钝化层；/n在所述第一钝化层背离所述扩散层的表面形成第一电极，并在所述第二钝化层背离所述掺杂型非晶硅层的表面形成第二电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种钝化接触太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：
在硅衬底的正面形成扩散层；
在所述硅衬底的背面进行预处理形成第一氧化层；
在所述第一氧化层背离所述硅衬底的表面形成第二氧化层；
在所述第二氧化层背离所述第一氧化层的表面形成掺杂型非晶硅层；
在所述扩散层背离所述硅衬底的表面形成第一钝化层，并在所述掺杂型非晶硅层背离所述第二氧化层的表面形成第二钝化层；
在所述第一钝化层背离所述扩散层的表面形成第一电极，并在所述第二钝化层背离所述掺杂型非晶硅层的表面形成第二电极。


2.如权利要求1所述的钝化接触太阳能电池制作方法，其特征在于，在所述硅衬底的背面进行预处理形成第一氧化层包括：
利用湿法氧化法，在所述硅衬底的所述背面进行预处理形成所述第一氧化层。


3.如权利要求2所述的钝化接触太阳能电池制作方法，其特征在于，利用湿法氧化法形成所述第一氧化层时，药液为HCl和H2O2的混合溶液。


4.如权利要求3所述的钝化接触太阳能电池制作方法，其特征在于，所述药液中HCL的体积分数为10％至15％，H2O2的体积分数为10％至15％，包括所有端点值。


5.如权利要求1所述的钝化接触太阳能电池...

【专利技术属性】
技术研发人员：王东，金井升，熊诗龙，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33