一种钝化接触太阳能电池及其制作方法技术

本申请公开了一种钝化接触太阳能电池制作方法，包括在硅衬底的正面形成扩散层；在硅衬底的背面进行预处理形成第一氧化层；在第一氧化层背离硅衬底的表面形成第二氧化层；在第二氧化层背离第一氧化层的表面形成掺杂型非晶硅层；在扩散层背离硅衬底的表面形成第一钝化层，并在掺杂型非晶硅层背离第二氧化层的表面形成第二钝化层；在第一钝化层背离扩散层的表面形成第一电极，并在第二钝化层背离掺杂型非晶硅层的表面形成第二电极。在硅衬底的背面先形成第一氧化层，再形成第二氧化层，由于第一氧化层均匀性好，有利于形成更加均匀的第二氧化层，提高整片电池的钝化均匀性，进而提高电池的转换效率。本申请还提供一种具有上述优点的电池。

A passive contact solar cell and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种钝化接触太阳能电池及其制作方法
本申请涉及光伏电池
，特别是涉及一种钝化接触太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
随着光伏行业的发展，提升太阳能电池的转换效率成为光伏企业追求的目标。钝化接触(TunnelOxidePassivatedContact，TOPCon)技术是在电池的背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，以形成钝化接触结构，具有高效率、长寿命、无LID和弱光响应好等优点。隧穿氧化层的制备方法主要有硝酸氧化法、热氧化法、臭氧水氧化法和紫外臭氧氧化法，其中，热氧化法因具有工艺简单的优点，适合量产，成为氧化层的主要制备方法。但是，热氧化法形成的氧化层不均匀，垂直放置硅片时形成的氧化层底部偏薄，水平放置硅片时氧化层容易中间偏薄，氧化层不均匀严重影响电池的钝化效果及电池效率的提升。因此，如何改善钝化接触电池中氧化层的均匀性应是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种钝化接触太阳能电池及其制作方法，以提升钝化接触太阳能电池中氧化层的均匀性。为解决上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钝化接触太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：/n在硅衬底的正面形成扩散层；/n在所述硅衬底的背面进行预处理形成第一氧化层；/n在所述第一氧化层背离所述硅衬底的表面形成第二氧化层；/n在所述第二氧化层背离所述第一氧化层的表面形成掺杂型非晶硅层；/n在所述扩散层背离所述硅衬底的表面形成第一钝化层，并在所述掺杂型非晶硅层背离所述第二氧化层的表面形成第二钝化层；/n在所述第一钝化层背离所述扩散层的表面形成第一电极，并在所述第二钝化层背离所述掺杂型非晶硅层的表面形成第二电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种钝化接触太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：
在硅衬底的正面形成扩散层；
在所述硅衬底的背面进行预处理形成第一氧化层；
在所述第一氧化层背离所述硅衬底的表面形成第二氧化层；
在所述第二氧化层背离所述第一氧化层的表面形成掺杂型非晶硅层；
在所述扩散层背离所述硅衬底的表面形成第一钝化层，并在所述掺杂型非晶硅层背离所述第二氧化层的表面形成第二钝化层；
在所述第一钝化层背离所述扩散层的表面形成第一电极，并在所述第二钝化层背离所述掺杂型非晶硅层的表面形成第二电极。


2.如权利要求1所述的钝化接触太阳能电池制作方法，其特征在于，在所述硅衬底的背面进行预处理形成第一氧化层包括：
利用湿法氧化法，在所述硅衬底的所述背面进行预处理形成所述第一氧化层。


3.如权利要求2所述的钝化接触太阳能电池制作方法，其特征在于，利用湿法氧化法形成所述第一氧化层时，药液为HCl和H2O2的混合溶液。


4.如权利要求3所述的钝化接触太阳能电池制作方法，其特征在于，所述药液中HCL的体积分数为10％至15％，H2O2的体积分数为10％至15％，包括所有端点值。


5.如权利要求1所述的钝化接触太阳能电池...

【专利技术属性】
技术研发人员：王东，金井升，熊诗龙，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33