一种p型晶体硅太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术提供了一种p型晶体硅太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。所述p型晶体硅太阳能电池，包括：p型晶体硅基底；局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；以及穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触的背面金属电极。本实用新型专利技术的p型晶体硅太阳能电池，减少了光学损失，且接触区复合小、光电转换效率高、开路电压大，成本低。

A p-type crystalline silicon solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种p型晶体硅太阳能电池
本技术涉及太阳能光伏
，特别是涉及一种p型晶体硅太阳能电池。
技术介绍
异质结太阳能电池具有生产工艺温度低、光电转换效率高等优势，因此应用前景广泛。目前，异质结太阳能电池中，异质结的设置，通常会减少进入硅基底的有效入射光，造成较大的光学损失，因此需要配合透明导电膜、低温导电银浆等以维持较高的光电转换效率。由于透明导电膜、低温导电银浆等成本较高，导致异质结太阳能电池成本居高不下。
技术实现思路
本技术提供一种p型晶体硅太阳能电池，旨在解决异质结太阳能电池成本高的问题。根据本技术的第一方面，提供了一种p型晶体硅太阳能电池，包括：p型晶体硅基底；局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体为：氧化硅基体、氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：p型晶体硅基底；/n局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；/n正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；/n正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；/n钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体为：氧化硅基体、氮化硅基体、氮氧化硅基体、氧化铝基体、碳化硅基体或非晶硅基体中的任意一种；/nn型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；/n背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；/n以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述...

【技术特征摘要】
1.一种p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：p型晶体硅基底；
局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；
正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；
正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；
钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体为：氧化硅基体、氮化硅基体、氮氧化硅基体、氧化铝基体、碳化硅基体或非晶硅基体中的任意一种；
n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；
背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；
以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触；所述背面金属电极为栅线电极。


2.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述局域p++型掺杂区的宽度，大于等于所述正面金属电极的宽度。


3.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，还包括：p+型掺杂层，掺杂形成于所述正面减反射层与所述p型晶体硅基底之间且所述局域p++型掺杂区之外的区域。


4.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，刘继宇，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32