一种p型晶体硅太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术提供了一种p型晶体硅太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。所述p型晶体硅太阳能电池，包括：p型晶体硅基底；局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；以及穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触的背面金属电极。本实用新型专利技术的p型晶体硅太阳能电池，减少了光学损失，且接触区复合小、光电转换效率高、开路电压大，成本低。

A p-type crystalline silicon solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种p型晶体硅太阳能电池
本技术涉及太阳能光伏
，特别是涉及一种p型晶体硅太阳能电池。
技术介绍
异质结太阳能电池具有生产工艺温度低、光电转换效率高等优势，因此应用前景广泛。目前，异质结太阳能电池中，异质结的设置，通常会减少进入硅基底的有效入射光，造成较大的光学损失，因此需要配合透明导电膜、低温导电银浆等以维持较高的光电转换效率。由于透明导电膜、低温导电银浆等成本较高，导致异质结太阳能电池成本居高不下。
技术实现思路
本技术提供一种p型晶体硅太阳能电池，旨在解决异质结太阳能电池成本高的问题。根据本技术的第一方面，提供了一种p型晶体硅太阳能电池，包括：p型晶体硅基底；局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体为：氧化硅基体、氮化硅基体、氮氧化硅基体、氧化铝基体、碳化硅基体或非晶硅基体中的任意一种；n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触；所述背面金属电极为栅线电极。可选的，所述局域p++型掺杂区的宽度，大于等于所述正面金属电极的宽度。可选的，所述p型晶体硅太阳能电池，还包括：p+型掺杂层，掺杂形成于所述正面减反射层与所述p型晶体硅基底之间且所述局域p++型掺杂区之外的区域。可选的，所述钝化隧穿层厚度为0.5～3nm。可选的，所述p型晶体硅基底的厚度为50～300μm。可选的，所述n型掺杂硅膜层的厚度为10nm～500nm。可选的，所述正面减反射层的厚度为40～100nm。可选的，所述背面钝化层的厚度为40～200nm。可选的，所述正面金属电极包括：Al电极、Al/Ag电极、Ni/Cu电极、Co/Cu电极、Ni/Cu/Sn电极、Co/Cu/Sn电极、Co/Cu/Ag电极、Ni/Cu/Ag电极中的任意一种。可选的，所述背面金属电极，包括Ag电极、Ni/Ag电极、Ni/Cu电极、Co/Ag电极、Co/Cu电极、Co/Cu/Sn电极、Co/Cu/Ag电极、Ni/Cu/Sn电极、Ni/Cu/Ag电极中的任意一种。根据本技术的第二方面，提供了一种p型晶体硅太阳能电池生产方法，所述方法用于生成前述任一项所述的p型晶体硅太阳能电池；所述方法包括：在p型晶体硅基底的正面形成局域p++型掺杂区；其中，所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度大于所述p型晶体硅基底的掺杂浓度；在所述p型晶体硅基底的正面，沉积形成正面减反射层；在所述正面减反射层的预设区域形成至少一个第一开膜区域，露出所述局域p++型掺杂区；在所述第一开膜区域的所述局域p++型掺杂区的正面，形成正面金属电极；在所述p型晶体硅基底的背面形成钝化隧穿层；其中，所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅中的任意一种；在所述钝化隧穿层的背面形成n型掺杂硅膜层；在所述n型掺杂硅膜层的背面沉积形成背面钝化层；在所述背面钝化层的预设区域照射激光，形成至少一个第二开膜区域，露出所述n型掺杂硅膜层；在所述第二开膜区域的所述n型掺杂硅膜层的背面，形成背面金属电极。可选的，所述在所述p型晶体硅基底的正面，沉积形成正面减反射层之前，还包括：在所述正面减反射层与所述p型晶体硅基底之间且所述局域p++型掺杂区之外的区域，掺杂形成p+型掺杂层；其中，所述p+型掺杂层的掺杂浓度，介于所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度与所述p型晶体硅基底的掺杂浓度之间；所述在所述p型晶体硅基底的正面，沉积形成正面减反射层，包括：在所述局域p++型掺杂区和所述p+型掺杂层的正面，沉积形成所述正面减反射层。可选的，所述在所述p型晶体硅基底的背面形成钝化隧穿层之前，还包括：对所述p型晶体硅基底的背面进行抛光处理；所述在所述p型晶体硅基底的背面形成钝化隧穿层，包括：在抛光处理后的所述p型晶体硅基底的背面沉积形成所述钝化隧穿层。在本技术实施例中，上述p型晶体硅太阳能电池生产方法能够达到与上述p型晶体硅太阳能电池相同或类似的有益效果，为了避免重复，此处不再赘述。根据本技术的第三方面，还提供一种p型晶体硅太阳能电池生产设备，所述p型晶体硅太阳能电池生产设备包括：接口，总线，存储器与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如前所述的任一项所述的p型晶体硅太阳能电池生产方法的步骤。根据本技术的第四方面，还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储可执行程序，所述可执行程序被处理器运行实现如前所述的任一项所述的p型晶体硅太阳能电池生产方法的步骤。在本技术实施例中，p型晶体硅太阳能电池，包括：p型晶体硅基底；局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体为：氧化硅基体、氮化硅基体、氮氧化硅基体、氧化铝基体、碳化硅基体或非晶硅基体中的任意一种；n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触；所述背面金属电极为栅线电极。本技术实施例中，n型掺杂硅膜层与p型晶体硅基底，形成的异质结位于p型晶体硅基底的背面，形成了背面发射极，p型晶体硅基底的背面更为平整，进而形成的异质结性能更好，能够从一定程度上提高开路电压；且位于p型晶体硅基底背面的异质结，相对于位于p型晶体硅基底正面的异质结，不会减少进入p型晶体硅基底的有效入射光，光学损失少，一方面，光电转换效率高、开路电压大，另一方面，该结构的p型晶体硅电池，光学损失少，进而无需透明导电膜、低温导电银浆等，从很大程度上降低了异质结太阳能电池的成本。钝化隧穿层形成于P型晶体硅基底的背面，钝化隧穿层能钝化异质结，电池发射极的接触区，降低接触区表面复合，进一步提高电池的开路电压和转换效率；钝化隧穿层中的上述Ⅲ族和/或Ⅴ族元素形成了量子隧穿点，利于电子的跃迁和电流传输，提高了短路电流和开路电压。背面金属电极为栅线电极并不是整面都是金属电极，有利于降低成本；同时，上述结构的p型晶体硅电池，正面金属电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：p型晶体硅基底；/n局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；/n正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；/n正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；/n钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体为：氧化硅基体、氮化硅基体、氮氧化硅基体、氧化铝基体、碳化硅基体或非晶硅基体中的任意一种；/nn型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；/n背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；/n以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触；所述背面金属电极为栅线电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：p型晶体硅基底；
局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；
正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；
正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触；
钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体为：氧化硅基体、氮化硅基体、氮氧化硅基体、氧化铝基体、碳化硅基体或非晶硅基体中的任意一种；
n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；
背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；
以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触；所述背面金属电极为栅线电极。


2.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述局域p++型掺杂区的宽度，大于等于所述正面金属电极的宽度。


3.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，还包括：p+型掺杂层，掺杂形成于所述正面减反射层与所述p型晶体硅基底之间且所述局域p++型掺杂区之外的区域。


4.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，刘继宇，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32