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本实用新型提供了一种p型晶体硅太阳能电池,涉及太阳能光伏技术领域。所述p型晶体硅太阳能电池,包括:p型晶体硅基底;局域p++型掺杂区,形成于所述P型晶体硅基底的正面;正面减反射层,沉积于所述p型晶体硅基底的正面;正面金属电极,所述正面金属电...该专利属于泰州隆基乐叶光伏科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过泰州隆基乐叶光伏科技有限公司授权不得商用。
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