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本申请公开了一种钝化接触太阳能电池制作方法，包括在硅衬底的正面形成扩散层；在硅衬底的背面进行预处理形成第一氧化层；在第一氧化层背离硅衬底的表面形成第二氧化层；在第二氧化层背离第一氧化层的表面形成掺杂型非晶硅层；在扩散层背离硅衬底的表面形成第...
该专利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司授权不得商用。

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