晶圆测试探针卡制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶圆测试探针卡，包括上层基板和底层基板，在上层基板的上表面设置有第一内圆区域和第一外环区域，底层基板具有粘合板面和布线板面，粘合板面与上层基板的下表面粘合，布线板面设置有第二内圆区域和第二外环区域；其中，在第一内圆区域内环设有两路以上测试通道组成的第一路电导体，在第一外环区域内环设有两路以上测试通道组成的第二路电导体；在第二内圆区域内环设有两路以上测试通道组成的第三路电导体，在第二外环区域内环设有两路以上测试通道组成的第四路电导体。通过本实用新型专利技术能够整体提高晶圆测试探针卡的平整度，延长探针卡的使用寿命，提高测试精准度。

Wafer test probe card

【技术实现步骤摘要】
晶圆测试探针卡
本技术涉及半导体测试
，更为具体地，涉及一种晶圆测试探针卡。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的IC产品。晶圆是半导体器件中的核心元件，需要进行十分严格的技术测试，晶圆测试主要是验证产品电路是否良好，验证驱动晶圆的功能是否符合终端应用的需求。行业内常使用探针卡对晶圆进行测试，其目的是为了实现测试仪器与晶圆之间的信号传输。即：通过探针卡上设置的探针触点，探针一端与触点接触，另一端与待测芯片上的金属垫接触，配合测试仪器及相关软件完成自动测试。目前常规的晶圆测试探针卡能提供48组电子测试通道，但使用较宽的布线方式。在生产过程中，大面积的板材因应力不均匀而容易受温度变化而发生板翘、不平整的现象，致使测试效率下降、探针卡生命周期缩短，并且还通常伴随发生漏电流及微小寄生电容。因此，为增加同测数、提高测试效率、延长探针卡使用寿命，并提高测试精准度，现亟需对目前常规的晶圆测试探针卡进行改进。
技术实现思路
鉴于上述问题，本技术的目的是提供一种晶圆测试探针卡，以解决目前的晶圆测试探针卡测试效率低、寿命短的问题。本技术提供的晶圆测试探针卡，包括上层基板和底层基板，在所述上层基板的上表面设置有第一内圆区域和第一外环区域，所述底层基板具有粘合板面和布线板面，所述粘合板面与所述上层基板的下表面粘合，所述布线板面设置有第二内圆区域和第二外环区域；其中，在所述第一内圆区域内环设有两路以上测试通道组成的第一路电导体，在所述第一外环区域内环设有两路以上测试通道组成的第二路电导体；在所述第二内圆区域内环设有两路以上测试通道组成的第三路电导体，在所述第二外环区域内环设有两路以上测试通道组成的第四路电导体。此外，优选的结构为：所述第一内圆区域的半径大于所述第一外环区域的环宽，所述第二内圆区域的半径小于所述第二外环区域的环宽。此外，优选的结构为：在所述上层基板上，所述第一路电导体的各测试通道由所述上层基板的中心向所述第一外环区域呈柱状分布，所述第二路电导体的各测试通道由所述第一内圆区域的边缘向所述上层基板的边缘呈环形分布；在所述底层基板上，所述第三路电导体的各测试通道在所述第二内圆区域内呈环形分布，所述第四路电导体的各测试通道由所述第二内圆区域的边缘向所述底层基板的边缘呈柱状分布。此外，优选的结构为：所述柱状为由内向外逐渐变大的棒形柱状或者方形柱状；所述环形为圆环形或者椭圆形。此外，优选的结构为：在所述第一路电导体和第二路电导体的各测试通道上均设置有与探针接触的第一触点；在所述第三路电导体和第四路电导体的各测试通道上设置有与探针接触的第二触点，在所述第四路电导体的各测试通道上设置有第一接地触点。此外，优选的结构为：所述第一路电导体、第二路电导体、第三路电导体和第四路电导体的各测试通道均为铜箔。此外，优选的结构为：在第一路电导体和第二路电导体的各测试通道上均设置有第一抗干扰层，所述第一抗干扰层在所述第一路电导体和第二路电导体的各测试通道上纵向设置；在第四路电导体的各测试通道上设置有第二抗干扰层，所述第二抗干扰层在第四路电导体的各测试通道上纵向设置。此外，优选的结构为：所述第一抗干扰层和第二抗干扰层为在所述铜箔上铣出的一块区域。此外，优选的结构为：所述第一路电导体中的各测试通道以第一预设线宽和第一预设间距分布在所述内圆区域内；所述第二路电导体中的各测试通道以第二预设线宽和第二预设间距分布在所述外环区域内。此外，优选的结构为：所述第三路电导体中的各测试通道以第三预设线宽和第三预设间距分布在所述内圆区域内；所述第四路电导体中的各测试通道以第四预设线宽和第四预设间距分布在所述外环区域内。利用上述根据本技术的晶圆测试探针卡，通过利用较细的铜箔线宽作为电导体，并且缩小了各铜箔之间的间距，让透过探针导电流可以有效集中在较小的铜箔面积上，减少漏电流及微小寄生电容发生的机会；并且由于晶圆测试探针卡由两层基板组成，在每一层基板上均有布线，因此可以整体提高晶圆测试探针卡的平整度，延长探针卡的使用寿命，提高测试精准度。附图说明通过参考以下结合附图的说明及权利要求书的内容，并且随着对本技术的更全面理解，本技术的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中：图1为根据本技术实施例的晶圆测试探针卡的上层基板上表面的整体结构示意图；图2为根据本技术实施例的晶圆测试探针卡的上层基板上表面的局部放大结构示意图；图3为根据本技术实施例的晶圆测试探针卡的下层基板布线板面的整体结构示意图；图4为根据本技术实施例的晶圆测试探针卡的下层基板布线板面的局部放大结构示意图。在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。图中：上层基板1、第一内圆区域11、第一路电导体的各测试通道111、第一外环区域12、第二路电导体的各测试通道121、底层基板2、第二内圆区域21、第三路电导体的各测试通道211、第二外环区域22、第四路电导体的各测试通道221、第一触点3、第二触点4、第一接地触点5、第一抗干扰层6、第二抗干扰层7、第二接地触点8、第三抗干扰层9。具体实施方式以下将结合附图对本技术的具体实施例进行详细描述。针对前述目前的晶圆测试探针卡提供的测试通道少，测试效率低、探针卡生命周期短，且易产生漏电流及微小寄生电容的问题，本技术通过设置两层基板并将两层基板粘合，并在上层基板和下层基板的表面均设置两路电导体，且每一路电导体均由多路测试通道组成，从而均加同测数量，提高测试效率，并且由于晶圆测试探针卡由两层基板组成，在每一层基板上均有布线，因此可以整体提高晶圆测试探针卡的平整度，延长探针卡的使用寿命，提高测试精准度。为说明本技术提供的晶圆测试探针卡，图1示出了根据本技术实施例的晶圆测试探针卡的上层基板上表面的整体结构，图2示出了根据本技术实施例的晶圆测试探针卡的上层基板上表面的局部放大结构，图3示出了根据本技术实施例的晶圆测试探针卡的下层基板布线板面的整体结构，图4示出了根据本技术实施例的晶圆测试探针卡的下层基板布线板面的局部放大结构。如图1至图4所示，本技术提供的晶圆测试探针卡包括上层基板1和底层基板2，在上层基板1的上表面设置有第一内圆区域11和第一外环区域12，底层基板2具有粘合板面(图中未示出)和布线板面(图中未示出)，粘合板面与上层基板的下表面(图中未示出)粘合，布线板面设置有第二内圆区域21和第二外环区域22；其中，在第一内圆区域11内环设有两路以上测试通道111组成的第一路电导体，在第一外环区域12内环设有两路以上测试通道121组成的第二路电导体；在第二内圆区域21内环设有两路以上测试通道211组成的第三路电导体，在第二外环区域22圆设有两路以上测试通道221组成的第四路电导体。...

【技术保护点】
1.一种晶圆测试探针卡，其特征在于，包括上层基板和底层基板，在所述上层基板的上表面设置有第一内圆区域和第一外环区域，所述底层基板具有粘合板面和布线板面，所述粘合板面与所述上层基板的下表面粘合，所述布线板面设置有第二内圆区域和第二外环区域；其中，/n在所述第一内圆区域内环设有两路以上测试通道组成的第一路电导体，在所述第一外环区域内环设有两路以上测试通道组成的第二路电导体；/n在所述第二内圆区域内环设有两路以上测试通道组成的第三路电导体，在所述第二外环区域内环设有两路以上测试通道组成的第四路电导体。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试探针卡，其特征在于，包括上层基板和底层基板，在所述上层基板的上表面设置有第一内圆区域和第一外环区域，所述底层基板具有粘合板面和布线板面，所述粘合板面与所述上层基板的下表面粘合，所述布线板面设置有第二内圆区域和第二外环区域；其中，
在所述第一内圆区域内环设有两路以上测试通道组成的第一路电导体，在所述第一外环区域内环设有两路以上测试通道组成的第二路电导体；
在所述第二内圆区域内环设有两路以上测试通道组成的第三路电导体，在所述第二外环区域内环设有两路以上测试通道组成的第四路电导体。


2.如权利要求1所述的晶圆测试探针卡，其特征在于，
所述第一内圆区域的半径大于所述第一外环区域的环宽，所述第二内圆区域的半径小于所述第二外环区域的环宽。


3.如权利要求2所述的晶圆测试探针卡，其特征在于，
在所述上层基板上，所述第一路电导体的各测试通道由所述上层基板的中心向所述第一外环区域呈柱状分布，所述第二路电导体的各测试通道由所述第一内圆区域的边缘向所述上层基板的边缘呈环形分布；
在所述底层基板上，所述第三路电导体的各测试通道在所述第二内圆区域内呈环形分布，所述第四路电导体的各测试通道由所述第二内圆区域的边缘向所述底层基板的边缘呈柱状分布。


4.如权利要求3所述的晶圆测试探针卡，其特征在于，
所述柱状为由内向外逐渐变大的棒形柱状或者方形柱状；
所述环形为圆环形或者椭圆形。


5.如权利要求1所述的晶圆测试探针卡，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘家铭，张孝仁，苏华庭，
申请(专利权)人：元鼎丰投资有限公司，
类型：新型
国别省市：中国香港;81