【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高级集成电路结构制造的鳍状物图案化相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月30日提交的题为“ADVANCEDINTEGRATEDCIRCUITSTRUCTUREFABRICATION”的美国临时申请No.62/593,149的权益，由此通过引用方式将该美国临时申请的全部内容并入本文。
本公开的实施例处于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言，10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。
技术介绍
过去几十年来，集成电路中特征的缩放已经成为不断成长的半导体行业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征能够使半导体芯片的有限占地面积上的功能单元的密度增大。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上并入增大数量的存储器或逻辑器件，从而带来具有更大容量的产品的制造。然而，对越来越大容量的驱动并非没有问题。优化每个器件性能的必要性变得越来越重要。常规和当前已知制造工艺中的变化性可能会限制将它们进一步扩展到10纳米节点或亚10纳米节点范围的可能性。因此，将来技术节点所需的功能部件的制造可能需要在当前制造工艺中...
【技术保护点】
1.一种集成电路结构，包括：/n沿第一方向具有最长尺寸的第一多个半导体鳍状物，其中，所述第一多个半导体鳍状物中的相邻的个体半导体鳍状物在与所述第一方向正交的第二方向上彼此间隔开第一量；以及/n沿所述第一方向具有最长尺寸的第二多个半导体鳍状物，其中，所述第二多个半导体鳍状物中的相邻的个体半导体鳍状物在所述第二方向上彼此间隔开所述第一量，并且其中，所述第一多个半导体鳍状物和所述第二多个半导体鳍状物中最接近的半导体鳍状物在所述第二方向上彼此间隔开第二量，所述第二量大于所述第一量但小于所述第一量的两倍。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171130 US 62/593,1491.一种集成电路结构，包括：
沿第一方向具有最长尺寸的第一多个半导体鳍状物，其中，所述第一多个半导体鳍状物中的相邻的个体半导体鳍状物在与所述第一方向正交的第二方向上彼此间隔开第一量；以及
沿所述第一方向具有最长尺寸的第二多个半导体鳍状物，其中，所述第二多个半导体鳍状物中的相邻的个体半导体鳍状物在所述第二方向上彼此间隔开所述第一量，并且其中，所述第一多个半导体鳍状物和所述第二多个半导体鳍状物中最接近的半导体鳍状物在所述第二方向上彼此间隔开第二量，所述第二量大于所述第一量但小于所述第一量的两倍。
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一多个半导体鳍状物和所述第二多个半导体鳍状物包括硅。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述第一多个半导体鳍状物和所述第二多个半导体鳍状物与下面的单晶硅衬底连续。
4.根据权利要求1、2或3所述的集成电路结构，其中，所述第一多个半导体鳍状物和所述第二多个半导体鳍状物中的个体半导体鳍状物具有从所述第一多个半导体鳍状物和所述第二多个半导体鳍状物中的个体半导体鳍状物的顶部到底部沿所述第二方向向外逐渐变细的侧壁。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的集成电路结构，其中，所述第一多个半导体鳍状物正好具有五个半导体鳍状物，并且所述第二多个半导体鳍状物正好具有五个半导体鳍状物。
6.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包括：
形成第一初级骨干结构和第二初级骨干结构；
形成与所述第一初级骨干结构和所述第二初级骨干结构的侧壁相邻的初级间隔体结构，其中，所述第一初级骨干结构与所述第二初级骨干结构之间的初级间隔体结构被融合。
去除所述第一初级骨干结构和所述第二初级骨干结构，并提供第一次级骨干结构、第二次级骨干结构、第三次级骨干结构和第四次级骨干结构，其中，所述第二次级骨干结构和所述第三次级骨干结构被融合；
形成与所述第一次级骨干结构、所述第二次级骨干结构、所述第三次级骨干结构和所述第四次级骨干结构的侧壁相邻的次级间隔体结构；
去除所述第一次级骨干结构、所述第二次级骨干结构、所述第三次级骨干结构和所述第四次级骨干结构；以及
利用所述次级间隔体结构对半导体材料进行图案化，以在所述半导体材料中形成半导体鳍状物。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，利用所述第一初级骨干结构与所述第二初级骨干结构之间的子设计规则间隔对所述第一初级骨干结构和所述第二初级骨干结构进行图案化。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述半导体材料包括硅。
9.根据权利要求6、7或8所述的方法，其中，所述半导体鳍状物中的个体半导体鳍状物具有从所述半导体鳍状物中的个体半导体鳍状物的顶部到底部沿所述第二方向向外逐渐变细的侧壁。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·沃德，H·M·迈耶，M·L·哈藤多夫，C·P·奥特，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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