碳化硅绝缘栅场效应晶体管栅氧化层的制备方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，尤其涉及一种碳化硅绝缘栅场效应晶体管栅氧化层的制备方法。本发明专利技术提供的碳化硅绝缘栅场效应晶体管栅氧化层的制备方法，包括：在碳化硅外延片的表面生长多晶硅膜层，氧化多晶硅膜层，使得多晶硅膜层完全氧化形成二氧化硅栅氧化层；其中，氧化所述多晶硅膜层的温度在1100℃以下。采用多晶硅作为栅氧化层的氧化原料，多晶硅未掺杂任何杂质，可获得高质量的二氧化硅栅氧化层，并精确控制栅氧化层厚度，且其氧化温度至少降低至1100℃，大大降低了工艺难度和生产能耗，具有较高的商业价值，利于企业量产。

Preparation of gate oxide of silicon carbide insulated gate FET

【技术实现步骤摘要】
碳化硅绝缘栅场效应晶体管栅氧化层的制备方法
本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种碳化硅绝缘栅场效应晶体管栅氧化层的制备方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)作为新一代的宽禁带半导体材料，在功率半导体领域具有极其优异的性能表现，是功率半导体器件发展的前沿和未来方向。与砷化镓、硅相比，碳化硅在高压、高温方面有压倒性的优良性质。SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)构成的化合物半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、饱和速度大、最大工作温度高等多种优良特性，其中，禁带(2.3～3.3eV)是Si的3倍，击穿场强(0.8E16～3E16V/cm)是Si的10倍，饱和漂移速度(2E7cm/s)是Si的2.7倍，以及热导率(4.9W/cmK)约为Si的3.2倍。这些特性使得碳化硅电子器件可以在高电压、高发热量、高频率的环境下工作，故而碳化硅被认为是制作高功率电子器件的最佳材料，例如制备碳化硅绝缘栅场效应晶体管。与传统的硅绝缘栅场效应晶体管相比，相同功率的碳化硅绝缘栅场效应晶体管具有更小的尺寸，更低的功耗和优良的导热性质，正广泛应用于电子电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅绝缘栅场效应晶体管栅氧化层的制备方法，其特征在于，包括：在碳化硅外延片的表面生长多晶硅膜层，氧化所述多晶硅膜层，使得所述多晶硅膜层完全氧化形成二氧化硅栅氧化层；/n其中，氧化所述多晶硅膜层的温度在1100℃以下。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅绝缘栅场效应晶体管栅氧化层的制备方法，其特征在于，包括：在碳化硅外延片的表面生长多晶硅膜层，氧化所述多晶硅膜层，使得所述多晶硅膜层完全氧化形成二氧化硅栅氧化层；
其中，氧化所述多晶硅膜层的温度在1100℃以下。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，氧化所述多晶硅膜层的步骤在硅半导体生产使用的热氧化炉管中进行。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多晶硅膜层的厚度为所述二氧化硅栅氧化层的厚度的46％。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，氧化所述多晶硅膜层的步骤中，氧化温度为800-1100℃。


5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，氧化所述多晶硅膜层的步骤中，氧化时间为30-600分钟。


6.根据权利要求1所述的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建国，贺冠中，
申请(专利权)人：深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44