一种获得NAND闪存LDPC码软信息的方法技术

本发明专利技术公开一种获得NAND闪存LDPC码软信息的方法，本方法首先采用更改阈值电压的方式进行K次硬读取、K次硬解码，K为正整数，若K次硬解码中有一次成功，则返回解码成功，若K次硬解码均不成功，则根据K次硬读取结果生成软信息，进行软解码。本发明专利技术能够减少软判决时的多次NAND读取需求，降低了内存资源、NAND读取资源和后端传输带宽资源的占用，减少了延时时间。

A method of obtaining soft information of NAND flash LDPC code

【技术实现步骤摘要】
一种获得NAND闪存LDPC码软信息的方法
本专利技术涉及一种NAND闪存LDPC码软信息的方法，属于NAND闪存

技术介绍
NAND闪存的内部存储是金属-氧化层-半导体-场效晶体管（MOSFET），在氧化层内增加了浮栅（FloatingGate）结构，是真正存储数据的单元。浮栅不与任何连线相连，仅在绝缘的氧化层内孤立存在，类似一个孤岛。浮栅的工作特性类似一个电子陷阱。器件在进行写入（编程）和擦除等操作时，电子将通过热载流子注入和FN遂穿的模式，在沟道和浮栅间移动。电子进入浮栅后，如果没有外部应力，电子将无法自行脱离浮栅，从而浮栅可以实现存储电荷的作用。通过判断浮栅上电荷的多少，可以判断存储器所存储的状态，实现对信息的存储。由于某些因素，NAND闪存单元中原本储存的电荷的个数可能会受到影响/扰乱，举例来说，NAND闪存中所存在的干扰可能来自于写入干扰(write/programdisturbance)、读取干扰(readdisturbance)及/或保持干扰(retentiondisturbance)。以具有各自储存一个位以上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种获得NAND闪存LDPC码软信息的方法，其特征在于：首先采用更改阈值电压的方式进行K次硬读取、K次硬解码，K为正整数，若K次硬解码中有一次成功，则返回解码成功，若K次硬解码均不成功，则根据K次硬读取结果生成软信息，进行软解码。/n

【技术特征摘要】
1.一种获得NAND闪存LDPC码软信息的方法，其特征在于：首先采用更改阈值电压的方式进行K次硬读取、K次硬解码，K为正整数，若K次硬解码中有一次成功，则返回解码成功，若K次硬解码均不成功，则根据K次硬读取结果生成软信息，进行软解码。


2.根据权利要求1所述的获得NAND闪存LDPC码软信息的方法，其特征在于：N次硬解码得到的硬读取结果记为Z0[n]、Z1[n]、···、Zi[n]、···ZK-1[n]，软解码需要的软信息序列记为P[n]，Z0[n]、Z1[n]、···、Zi[n]、···ZK-1[n]]的取值与P[n]的取值位对应，并且Z0[n]、Z1[n]、···、Zi[n]、···ZK-1[n]]某位的取值与P[n]相应位的取值构成映射关系表，已知硬读取结果的情况下，通过查询映射关系表的方式生成P[n]。


3.根据权利要求2所述的获得NAND闪存LDPC码...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴永航，高美洲，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37