【技术实现步骤摘要】
一种全自动智能碳化硅晶体生长装置
本技术涉及碳化硅晶体生产
,具体为一种全自动智能碳化硅晶体生长装置。
技术介绍
碳化硅单晶材料是第三代宽带隙半导体材料的代表,具有宽禁带、高热导率、高电子饱、高迁移速率和高击穿电场等性质,与以硅为代表的第一代半导体材料和以GaAs为代表的第二代半导体材料相比,有着明显的优越性,碳化硅的生长一般是在专用的生长装置内进行高温结晶。目前市场上的生长装置各种各样,但是都存在着生产效率较低的缺陷,在进行碳化硅晶体的生产时,内部的保温性和热场的控制极为重要,然而目前一般的生长装置在进行生产时保温性较差,且温度容易从顶盖与炉体之间的缝隙流失,导致内部温度经常发生变化,并且内部的热场也无法随时调整控制,导致碳化硅晶体的生长速度受到影响,故而提出一种全自动智能碳化硅晶体生长装置来解决上述所提出的问题。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足,本技术提供了一种全自动智能碳化硅晶体生长装置,具备生产效率高等优点,解决了在进行碳化硅晶体的生产时,内部的保温性和热场 ...
【技术保护点】
1.一种全自动智能碳化硅晶体生长装置,包括保温炉(1),其特征在于:所述保温炉(1)的顶部开设有固定槽(2),所述保温炉(1)的顶部活动安装有保温盖(3),所述保温盖(3)的底部固定安装有位于固定槽(2)内部的填充块(4),所述保温盖(3)的顶部固定安装有视窗(5),所述保温盖(3)的顶部且位于视窗(5)的左侧活动安装有转动把手(6),所述转动把手(6)的底部贯穿保温盖(3)的顶部并延伸至保温盖(3)的底部,所述转动把手(6)的右侧且位于保温炉(1)的内部固定安装有横杆(7),所述横杆(7)的顶部固定安装有擦板(8),所述保温炉(1)内腔的底壁固定安装有数量为两个的伸缩杆( ...
【技术特征摘要】
1.一种全自动智能碳化硅晶体生长装置,包括保温炉(1),其特征在于:所述保温炉(1)的顶部开设有固定槽(2),所述保温炉(1)的顶部活动安装有保温盖(3),所述保温盖(3)的底部固定安装有位于固定槽(2)内部的填充块(4),所述保温盖(3)的顶部固定安装有视窗(5),所述保温盖(3)的顶部且位于视窗(5)的左侧活动安装有转动把手(6),所述转动把手(6)的底部贯穿保温盖(3)的顶部并延伸至保温盖(3)的底部,所述转动把手(6)的右侧且位于保温炉(1)的内部固定安装有横杆(7),所述横杆(7)的顶部固定安装有擦板(8),所述保温炉(1)内腔的底壁固定安装有数量为两个的伸缩杆(9),所述伸缩杆(9)的顶部固定安装有底部加热器(10),所述底部加热器(10)的底部固定安装有螺纹筒(11),所述螺纹筒(11)的内侧螺纹连接有螺纹杆(12),所述螺纹杆(12)的底部且位于保温炉(1)的底部固定安装有电机(13),底部加热器(10)的顶部活动安装有坩埚本体(14),所述坩埚本体(14)的内部固定安装有隔板(15),所述隔板(15)的顶部开设有通孔(16),所述保温炉(1)的内部且位于坩埚本体(14)的外侧固定安装有加热线圈(17),所述加热线圈(17)的外侧固定连接有导热管(1...
【专利技术属性】
技术研发人员:张新峰,王炜,
申请(专利权)人:江苏卓远半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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