半导体结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体结构；包括：支撑层，包括焊盘区域；支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽，凹槽底部的宽度大于凹槽开口的宽度；焊垫，位于支撑层上，且位于焊盘区域内，焊垫部分嵌入凹槽内。上述半导体结构中焊垫嵌入凹槽的部分与凹槽下部的侧壁之间可以有空气腔，在焊线键合工艺时即使焊垫平坦且大部分焊垫在键合压力的作用下会被排挤开来，被排挤开来的焊垫会进入空气腔内，可以避免保护层向上掀开或裂开，防止焊垫外溢，从而确保产品的品质；同时，因为焊垫会在焊线键合工艺时进入空气腔内，会增加焊垫与支撑层的接触面积，从而会增强整体结构的稳定性。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本申请涉及半导体器件制造
，特别是涉及一种半导体结构。
技术介绍
在现有的工艺中，在焊垫(Pad)上进行焊线键合(wirebonding)工艺时，由于焊垫一般为硬度较软的铝，在焊线键合工艺时，在键合压力(bondingforce)的作用下，焊垫会很快被压扁；如果保护层中开口太小或者打线打歪造成焊线临近保护层时，挤压后向外排除的焊垫层下方会将保护层向上掀开或裂开，或者导致焊垫外溢，从而造成品质问题。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有技术中的上述问题提供一种半导体结构。为了实现上述目的，一方面，本技术提供了一种半导体结构，包括：支撑层，包括焊盘区域；所述支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽，所述凹槽底部的宽度大于所述凹槽开口的宽度；焊垫，位于所述支撑层上，且位于所述焊盘区域内，所述焊垫部分嵌入所述凹槽内。上述半导体结构中通过在焊垫下方形成焊盘区域内具有若干个凹槽的支撑层，且凹槽底部的宽度大于凹槽顶部的宽度，焊垫嵌入凹槽的部分与凹槽下部的侧壁之间可以有空气腔，在焊线键合工艺时即使焊垫本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n支撑层，包括焊盘区域；所述支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽，所述凹槽底部的宽度大于所述凹槽开口的宽度；/n焊垫，位于所述支撑层上，且位于所述焊盘区域内，所述焊垫部分嵌入所述凹槽内。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
支撑层，包括焊盘区域；所述支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽，所述凹槽底部的宽度大于所述凹槽开口的宽度；
焊垫，位于所述支撑层上，且位于所述焊盘区域内，所述焊垫部分嵌入所述凹槽内。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层为单层结构。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层为叠层结构，所述支撑层包括：
第一材料层；
第二材料层，位于所述第一材料层的上表面；所述第二材料层内形成有所述凹槽。


4.根据权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的纵截面形状包括瓶状或梯形。


5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的侧壁相较于所述支撑层的上表面的倾斜角度为30°～65°。


6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层为叠层结构，所述支撑层包括：
第一材料层；
第二材料层，位于所述第一材料层的上表面；其中，
所述第二材料层内形成有沿其厚度方向贯穿的通孔，所述第一材料层内形成有...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34