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文档序号:24230657
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本实用新型涉及一种半导体结构;包括:支撑层,包括焊盘区域;支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽,凹槽底部的宽度大于凹槽开口的宽度;焊垫,位于支撑层上,且位于焊盘区域内,焊垫部分嵌入凹槽内。上述半导体结构中焊垫嵌入凹槽的部分与凹槽下部的侧壁之间...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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