检测阶梯结构偏移的方法及芯片技术

本发明专利技术公开一种检测阶梯结构偏移的方法，包含：在衬底的第一侧形成第一凹槽；形成堆叠层于衬底上，其中堆叠层包含交错叠置的多个第一绝缘层和多个第二绝缘层；通过多次修整‑蚀刻工艺使堆叠层形成阶梯结构，其包含最靠近衬底的第一台阶；测量第一凹槽与第一台阶的距离，以得到第一距离；以及比较第一距离与其预设距离，以判定阶梯结构的偏移程度。由于第一凹槽形成于衬底内，第一凹槽的位置及形状不会因后续的修整‑蚀刻工艺而改变。因此，所述方法可准确地判定阶梯结构的偏移程度。本发明专利技术还公开一种包含第一凹槽的芯片。

【技术实现步骤摘要】
检测阶梯结构偏移的方法及芯片
本专利技术涉及3DNAND存储器
，特别是涉及一种检测阶梯结构偏移的方法及芯片。
技术介绍
随着对高度集成电子装置的需求愈来愈高，现今的平面存储单元的存储密度已接近于实际可扩展的极限。3D存储器能解决平面存储单元的存储密度限制。3D存储器包括存储器阵列以及用于控制往返于存储器阵列的信号的外围装置。存储器阵列的典型制备方法包括：在衬底上形成多个由二种电介质层所组成的堆叠层；在最上层的堆叠层上形成掩模层；以掩模层作为掩模蚀刻最上层堆叠层的一部分；修整(trim)掩模层，再以修正后的掩模层对多个堆叠层进行蚀刻；如此重复进行修整-蚀刻工艺来使多个堆叠层形成阶梯结构。目前用于形成阶梯结构的掩模层的厚度需大于8μm，因此难以线内(inline)监控阶梯结构中每一台阶的堆叠(overlay)偏移量。为了检测阶梯结构的偏移程度，一般会使最上层堆叠层的两相对侧各别形成一长方形凸块。经多次修整-蚀刻工艺后，两长方形凸块投影在衬底上的位置形成与第一台阶同层的检测标记。通过量测检测标记与第一台阶的距离来确认阶梯结构的偏移程度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测阶梯结构偏移的方法，其特征在于：其包含：/n在衬底的第一侧形成第一凹槽；/n形成堆叠层于所述衬底上，其中所述堆叠层包含在与所述衬底垂直的方向上交错叠置的多个横向延伸的第一绝缘层和第二绝缘层；/n通过多次的修整-蚀刻工艺使所述堆叠层形成阶梯结构，其中所述阶梯结构包含多个台阶，且最靠近所述衬底的台阶为第一台阶；/n测量所述第一凹槽与所述第一台阶的距离，以得到第一距离；以及/n比较所述第一距离与第一预定距离，以判定所述阶梯结构的偏移程度，其中所述第一预定距离为所述第一距离的预设距离。/n

【技术特征摘要】
1.一种检测阶梯结构偏移的方法，其特征在于：其包含：
在衬底的第一侧形成第一凹槽；
形成堆叠层于所述衬底上，其中所述堆叠层包含在与所述衬底垂直的方向上交错叠置的多个横向延伸的第一绝缘层和第二绝缘层；
通过多次的修整-蚀刻工艺使所述堆叠层形成阶梯结构，其中所述阶梯结构包含多个台阶，且最靠近所述衬底的台阶为第一台阶；
测量所述第一凹槽与所述第一台阶的距离，以得到第一距离；以及
比较所述第一距离与第一预定距离，以判定所述阶梯结构的偏移程度，其中所述第一预定距离为所述第一距离的预设距离。


2.根据权利要求1所述的检测阶梯结构偏移的方法，其特征在于：所述第一距离是所述第一凹槽与所述第一台阶中靠近所述第一凹槽的第一侧边的距离。


3.根据权利要求2所述的检测阶梯结构偏移的方法，其特征在于：所述第一凹槽的深度为


4.根据权利要求3所述的检测阶梯结构偏移的方法，其特征在于：所述第一凹槽是通过厚度为0.7μm的光刻胶工艺制成。


5.根据权利要求1所述的检测阶梯结构偏移的方法，其特征在于：所述第一距离为所述第一凹槽中靠近所述第一台阶的第一侧壁，到所述第一台阶的第一侧边的垂直投影距离。


6.根据权利要求1所述的检测阶梯结构偏移的方法，其特征在于：所述第一预定距离为1-2μm。


7.根据权利要求1所述的检测阶梯结构偏移的方法，其特征在于：其还包含：
在形成所述第一凹槽的同时，在所述衬底的第一侧的相对侧形成第二凹槽；
测量所述第二凹槽与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周文犀，张帜，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42