【技术实现步骤摘要】
一种等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位的方法
本专利技术涉及一种等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位的方法，属于传感器测量
技术介绍
随着现代科技的飞速发展，许多军用运载火箭、导弹飞行测量领域，都需要耐高温、耐腐蚀、高可靠性的传感器进行测量，薄膜传感器由于其采用溅射的工艺技术将金属应变材料溅射在弹性敏感元件上，实现纯物理特性的原子间键合，从原理上改变了传统的胶粘应变计式传感器的方式，消除了传统传感器由于胶粘剂寿命引起的失效、可靠性低、使用温度范围窄的缺点。然而，由于环境因素影响传感器即使在空载的情况下也不可能是零输出，因此需要通过电路补偿使传感器的零位输出尽可能小，而薄膜传感器和其他传感器一样，也是要进行零位调整。目前薄膜传感器零位调整方式是采用锰铜丝或者采用激光切割的方式完成。对于锰铜丝而言，零位调整范围越大，补偿电阻值越大，则需要的锰铜丝的长度越大，缠绕在一起后体积会更大，造成薄膜传感器结构尺寸受限，因此锰铜丝仅用于零位范围较小的调整；另外，由于锰铜丝使用温度范围的限制，薄膜传感器仅用于200℃以内测试使用。对于...
【技术保护点】
1.一种等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位的方法，所述薄膜传感器中的四个应变电阻通过金属薄膜连接形成惠斯通电桥，其特征在于：所述方法是通过调整桥臂电阻值使惠斯通电桥电压输出发生变化从而实现整个薄膜传感器的零位调整。/n
【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位的方法，所述薄膜传感器中的四个应变电阻通过金属薄膜连接形成惠斯通电桥，其特征在于：所述方法是通过调整桥臂电阻值使惠斯通电桥电压输出发生变化从而实现整个薄膜传感器的零位调整。
2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位的方法，其特征在于：桥臂电阻值调整的具体步骤如下，
在每个惠斯通电桥桥臂上设置一个以上阻值不同的零位调整电阻相对应的图形掩膜，根据薄膜传感器的初始零位偏差值选择需要调整的两个应变电阻中电阻值较小的一个应变电阻以及所需调整的电阻值，在需要调整的应变电阻对应的桥臂上选择阻值与所需调整的电阻值相接近的零位调整电阻，制作相对应的图形掩膜，然后采用等离子体将该零位调整电阻相对应的图形掩膜刻蚀形成零位调整电阻，实现桥臂电阻值的调整，即实现薄膜传感器的零位调整。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位的方法，其特征在于：惠斯通电桥桥臂上需要刻蚀零位调整电阻处的膜层厚度与应变电阻的膜层厚度相等，金属薄膜的材料与应变电阻的膜层的材料相同。
4.根据权利要求3所述的等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位的方法，其特征在于：应变电阻的膜层厚度为200nm～300nm。
5.根据权利要求1或2所述的等离子体刻蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘婷，李大全，毛昭勇，戚云娟，薛晓婷，李敏，
申请(专利权)人：陕西电器研究所，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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