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本发明涉及一种等离子体刻蚀调整薄膜传感器零位的方法，属于传感器测量技术领域。本方法采用等离子体刻蚀在惠斯通电桥桥臂上刻蚀零位调整电阻，通过调整惠斯通电桥桥臂电阻值使惠斯通电桥电压输出发生变化从而实现整个薄膜传感器的零位调整。本发明所述方法能...
该专利属于陕西电器研究所所有，仅供学习研究参考，未经过陕西电器研究所授权不得商用。

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