清洁半导体芯片的方法技术

提供了一种清洁半导体芯片的方法，所述方法包括：将第一极性组分施加到位于至少一个半导体芯片的表面上的保护层，以从所述至少一个半导体芯片的所述表面去除颗粒，并使所述颗粒悬浮在所述第一极性组分中；以及将表面张力小于所述第一极性组分的表面张力的第二极性组分施加到所施加的第一极性组分的中心部分，以将所述第一极性组分和所述颗粒推向所述至少一个半导体芯片的外围。

【技术实现步骤摘要】
清洁半导体芯片的方法相关申请的交叉引用于2018年11月8日在韩国知识产权局提交的标题为“MethodofCleaningaSemiconductorChipandApparatusforPerformingtheSame”的韩国专利申请No.10-2018-0136259通过引用整体并入本文。
实施例涉及清洁半导体芯片的方法及用于执行该方法的装置。
技术介绍
半导体衬底上可能形成有多个CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器。可以沿划片道切割半导体衬底以分割或分离开这些CMOS图像传感器。
技术实现思路
可以通过提供一种清洁半导体芯片的方法来实现实施例，所述方法包括：将第一极性组分施加到位于至少一个半导体芯片的表面上的保护层，以从所述至少一个半导体芯片的所述表面去除颗粒，并使所述颗粒悬浮在所述第一极性组分中；以及将表面张力小于所述第一极性组分的表面张力的第二极性组分施加到所施加的第一极性组分的中心部分，以将所述第一极性组分和所述颗粒推向所述至少一个半导体芯片的外围。可以通过提供一种清洁CM本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洁半导体芯片的方法，所述方法包括：/n将第一极性组分施加到位于至少一个半导体芯片的表面上的保护层，以从所述至少一个半导体芯片的所述表面去除颗粒，并使所述颗粒悬浮在所述第一极性组分中；以及/n将表面张力小于所述第一极性组分的表面张力的第二极性组分施加到所施加的第一极性组分的中心部分，以将所述第一极性组分和所述颗粒推向所述至少一个半导体芯片的外围。/n

【技术特征摘要】
20181108 KR 10-2018-01362591.一种清洁半导体芯片的方法，所述方法包括：
将第一极性组分施加到位于至少一个半导体芯片的表面上的保护层，以从所述至少一个半导体芯片的所述表面去除颗粒，并使所述颗粒悬浮在所述第一极性组分中；以及
将表面张力小于所述第一极性组分的表面张力的第二极性组分施加到所施加的第一极性组分的中心部分，以将所述第一极性组分和所述颗粒推向所述至少一个半导体芯片的外围。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一极性组分施加到所述保护层包括：使所述保护层溶解在所述第一极性组分中以从所述至少一个半导体芯片的所述表面去除所述颗粒并使所述颗粒悬浮在所述第一极性组分中。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，将所述第一极性组分施加到所述保护层包括：使所述保护层暴露于所述第一极性组分直到所述保护层溶解。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述保护层暴露于所述第一极性组分10秒至300秒。


5.根据权利要求2所述的方法，其中：
所述保护层包括丙烯酸类聚合物，并且
所述第一极性组分包括二甲基亚砜、乙二醇和胺。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一极性组分包括70重量％至90重量％的二甲基亚砜、1重量％至15重量％的乙二醇和1重量％至15重量％的胺。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一极性组分施加到所述保护层包括：向所述保护层的中心部分提供所述第一极性组分以用所述第一极性组分覆盖所述保护层的全部表面。


8.根据权利要求7所述的方法，其中，施加到所述保护层的所述表面的所述第一极性组分的量为50ml至250ml。

【专利技术属性】
技术研发人员：李惠卿，朴晟见，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR