一种多晶硅薄膜及其制备方法技术

本公开是关于一种多晶硅薄膜及其制备方法，该多晶硅薄膜制备方法包括：在基底上形成非晶硅层，在所述非晶硅层上沉积形成第一氧化硅层；去除所述第一氧化硅层表面的有机物；去除所述非晶硅层上的第一氧化硅层；对所述非晶硅层进行快速退火处理，以使所述非晶硅层内部的氢含量小于3％；进行准分子激光退火处理，使得所述非晶硅层形成多晶硅层。本公开简化了整个多晶硅薄膜制备的工艺流程，提高了操作过程的安全性，一定程度上节约了物力、人力资源，降低了成本。

A polysilicon film and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅薄膜及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种多晶硅薄膜及其制备方法。
技术介绍
显示技术是利用电子技术提供变换灵活的视觉信息的技术，随着显示技术的发展，人们对显示画质的需求日益增长，高画质、高分辨率的显示装置也越来越得到显示面板厂家的重视。而薄膜晶体管是平板显示面板的主要驱动器件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。多晶硅薄膜晶体管，因为具有更好的电子迁移率、更快的反应时间，已得到广泛的应用。现有的多晶硅薄膜制备，通常是采用准分子激光处理方法，使得基底上的非晶硅层结晶形成多晶硅层，另外，在准分子激光处理之前，进行预处理工艺，以期望得到更加均匀的多晶硅层。具体的，先在基底上形成非晶硅层，然后经过去除有机物处理-臭氧水处理-氢氟酸处理-臭氧水处理，最后再使用准分子激光处理使得非晶硅层融化结晶形成多晶硅层。上述技术方案中，进行了两次臭氧水处理，第一次臭氧水处理，容易造成残留问题，导致非晶硅层厚度均匀性变差，进而影响了后续结晶形成的多晶硅结晶大小不均匀。第二次臭氧水处理，又增加了整个工艺的步骤，一定程度上增加了成本。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n在基底上形成非晶硅层，在所述非晶硅层上沉积形成第一氧化硅层；/n去除所述第一氧化硅层表面的有机物；/n去除所述非晶硅层上的第一氧化硅层；/n对所述非晶硅层进行快速退火处理，以使所述非晶硅层内部的氢含量小于3％；/n进行准分子激光退火处理，使得所述非晶硅层形成多晶硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基底上形成非晶硅层，在所述非晶硅层上沉积形成第一氧化硅层；
去除所述第一氧化硅层表面的有机物；
去除所述非晶硅层上的第一氧化硅层；
对所述非晶硅层进行快速退火处理，以使所述非晶硅层内部的氢含量小于3％；
进行准分子激光退火处理，使得所述非晶硅层形成多晶硅层。


2.根据权利要求1所述多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，去除所述第一氧化硅层表面的有机物是使用准分子紫外光照射去除。


3.根据权利要求2所述多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，去除所述非晶硅层上的第一氧化硅层是使用氢氟酸溶液去除，所述氢氟酸溶液的质量浓度为0.5％-1％。


4.根据权利要求1所述多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述快速退火处理温度为450℃-520℃，时间为5min-20min。
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【专利技术属性】
技术研发人员：叶昱均，
申请(专利权)人：陕西坤同半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61