温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开是关于一种多晶硅薄膜及其制备方法，该多晶硅薄膜制备方法包括：在基底上形成非晶硅层，在所述非晶硅层上沉积形成第一氧化硅层；去除所述第一氧化硅层表面的有机物；去除所述非晶硅层上的第一氧化硅层；对所述非晶硅层进行快速退火处理，以使所述非晶硅...
该专利属于陕西坤同半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西坤同半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。