利用CVD方法生长二维薄膜的载具技术

本实用新型专利技术提供了一种利用CVD方法生长二维薄膜的载具，应用于一CVD设备，载具包括底座、底板以及多个生长板。底座具有第一限位结构；底板设于底座上，底板的下表面具有与第一限位结构配合的第二限位结构，底板的上表面具有第三限位结构；底座设置拱形支脚，便于传送；多个生长板用于承载多片生长衬底，多个生长板堆叠设置，并设于底板的上表面；多个生长板中位于最下方的生长板的下表面具有与第三限位结构配合的第四限位结构；相邻两个生长板的两个相对的表面上分别设有相互配合的第五限位结构和第六限位结构。本实用新型专利技术的载具借助第一至第六限位结构相互配合，使得连接牢固，不易发生错位或倾斜，且具有部件少，易于拆卸装配的优点。

Vehicle for CVD growth of two-dimensional thin film

【技术实现步骤摘要】
利用CVD方法生长二维薄膜的载具
本技术总体来说涉及二维薄膜材料制备领域，具体而言，涉及一种利用CVD方法生长二维薄膜的载具。
技术介绍
二维薄膜材料，如石墨烯、六方氮化硼等，具有优良电子学和光电子学性质，受到学界和产业界广泛的关注。高品质的二维薄膜材料多采用化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition简称CVD)制备，主要包括高温下前驱体的裂解、在生长衬底上成核、生长以及拼接形成连续薄膜的过程。在规模化制备时，生长衬底的摆放、气流的设计对于所制备的材料品质至关重要，这些离不开生长载具的设计。现有技术中已经公开了一些能够批量制备薄膜的载具，然而这些载具在实际应用中仍存在着诸多问题，例如，载具的部件较多，导致拆卸装配较复杂；载具中多个生长板之间，以及生长板与底座之间的连接不够牢固，导致搬运载具时易出现错位甚至倾斜的问题。在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本技术的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本技术的一个主要目的在于克服上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用CVD方法生长二维薄膜的载具，应用于一CVD设备，其特征在于，所述载具包括：/n底座，具有第一限位结构；/n底板，设于所述底座上，所述底板的下表面具有与所述第一限位结构配合的第二限位结构，所述底板的上表面具有第三限位结构；以及/n多个生长板，用于承载多片生长衬底，多个所述生长板堆叠设置，并设于所述底板的上表面；多个所述生长板中位于最下方的所述生长板的下表面具有与所述第三限位结构配合的第四限位结构；相邻两个所述生长板的两个相对的表面上分别设有相互配合的第五限位结构和第六限位结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用CVD方法生长二维薄膜的载具，应用于一CVD设备，其特征在于，所述载具包括：
底座，具有第一限位结构；
底板，设于所述底座上，所述底板的下表面具有与所述第一限位结构配合的第二限位结构，所述底板的上表面具有第三限位结构；以及
多个生长板，用于承载多片生长衬底，多个所述生长板堆叠设置，并设于所述底板的上表面；多个所述生长板中位于最下方的所述生长板的下表面具有与所述第三限位结构配合的第四限位结构；相邻两个所述生长板的两个相对的表面上分别设有相互配合的第五限位结构和第六限位结构。


2.根据权利要求1所述的利用CVD方法生长二维薄膜的载具，其特征在于，所述底座的上表面的四周还突出设有多个可拆卸的限位部，所述底板和多个所述生长板位于多个所述限位部界定的空间内，所述限位部的高度大于所述底板和多个所述生长板堆叠后的高度。


3.根据权利要求2所述的利用CVD方法生长二维薄膜的载具，其特征在于，所述限位部呈柱体。


4.根据权利要求1所述的利用CVD方法生长二维薄膜的载具，其特征在于，所述底座包括：
两根相对设置的第一梁；
至少两个支脚，所述至少两个支脚的其中两个所述支脚分别连接于两根所述第一梁的两端；以及
两根相对设置的第二梁，连接于两根所述第一梁且位于所述其中两个所述支脚之间；
其中，位于同一端的所述第二梁和所述支脚共同界定出一通槽，所述通槽即为所述第一限位结构；
其中，两根所述第一梁的上表面、所述至少两个支脚的上表面和两根所述第二梁的上表面互相齐平以形成一接触表面，所述接触表面用以与所述底板的下表面接触。


5.根据权利要求4所述的利用CVD方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘忠范，彭海琳，蔡阿利，孙禄钊，李杨立志，陈步航，王悦晨，刘海洋，
申请(专利权)人：北京石墨烯研究院，北京大学，
类型：新型
国别省市：北京;11