一种沉积装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种沉积装置，所述装置包括：反应腔及设置在所述反应腔内的晶圆主支撑部和晶圆辅支撑部；其中，所述晶圆主支撑部用于在所述沉积装置执行沉积作业时承载晶圆，并对晶圆进行加热；所述晶圆主支撑部通过在所述晶圆辅支撑部的下方进行上下移动及沿中心轴转动，以在再次承载所述晶圆时提供与晶圆接触面发生转动的相对位置；所述晶圆辅支撑部用于在以下时刻承载所述晶圆：在所述晶圆主支撑部在所述晶圆辅支撑部的下方进行移动和/或转动时。

【技术实现步骤摘要】
一种沉积装置
本申请涉及半导体制造领域，特别涉及一种沉积装置。
技术介绍
沉积技术是半导体制程工艺中的一个非常重要的技术。其中，等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，其可用于沉积大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。在3DNAND存储器的制备工艺中，利用PECVD方法沉积的薄膜越来越厚，如一氧化氮叠堆(NOstack)、厚四乙基正硅酸盐(thickTEOS)和硬掩膜碳(HMcarbon)等，同时对薄膜均匀度要求也越来越高。仅仅通过PECVD中的喷头(showerhead)和加热器(heater)的工艺改进无法做到使薄膜完全均匀，而随着薄膜厚度的增加，不均匀度不可避免的越来越大。现有技术中通常会采用多次沉积的方式来改善薄膜的均匀度，每次沉积时，需要将晶圆从沉积装置的反应腔中取出，将晶圆旋转一定角度后再放入反应腔并放置在加热器上，以改变晶圆与加热器之间的相对位置，从而改善沉积薄膜的均匀度。然而，晶圆每次进出反应腔都需要进行清洁，从而导致沉积的工艺周期过长，且每小时出片量(waferperhour，WPH)大大降低。
技术实现思路
本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种沉积装置。为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：第一方面，本申请实施例提供一种沉积装置，所述装置包括：反应腔及设置在所述反应腔内的晶圆主支撑部和晶圆辅支撑部；其中，所述晶圆主支撑部用于在所述沉积装置执行沉积作业时承载晶圆，并对晶圆进行加热；所述晶圆主支撑部通过在所述晶圆辅支撑部的下方进行上下移动及沿中心轴转动，以在再次承载所述晶圆时提供与晶圆接触面发生转动的相对位置；所述晶圆辅支撑部用于在以下时刻承载所述晶圆：在所述晶圆主支撑部在所述晶圆辅支撑部的下方进行移动和/或转动时。在一种可选的实施方式中，所述晶圆主支撑部具有在承载晶圆时与晶圆接触的圆形接触面；所述晶圆辅支撑部具有在承载晶圆时与晶圆接触的多个分离设置的接触部；所述圆形接触面内具有容纳所述接触部的缺口。在一种可选的实施方式中，所述晶圆辅支撑部还具有环形连接部；所述环形连接部位于所述接触部与晶圆接触的远端，所述环形连接部与多个所述接触部固定连接。在一种可选的实施方式中，所述晶圆辅支撑部上的所述接触部的数量为3个以上，相邻两接触部之间的夹角相同。在一种可选的实施方式中，所述晶圆主支撑部具有在承载晶圆时与晶圆接触的圆形接触面；所述晶圆辅支撑部具有在承载晶圆时与晶圆接触的环形接触部；所述圆形接触面外围设置有容纳所述环形接触部的容纳槽。在一种可选的实施方式中，所述晶圆主支撑部还具有加热组件，所述加热组件位于所述圆形接触面以及所述容纳槽的下方。在一种可选的实施方式中，所述装置还包括：喷头，所述喷头设置在所述晶圆主支撑部上方，以在所述沉积装置执行沉积作业时向所述晶圆喷洒沉积物；所述晶圆辅支撑部为可拆分结构，所述晶圆辅支撑部配置为：在所述晶圆主支撑部支撑晶圆并沿中心轴转动，以改变所述晶圆和所述喷头之间的相对位置时，拆分为沿承载晶圆的平面方向上远离所述晶圆主支撑部的分体结构。在一种可选的实施方式中，所述晶圆辅支撑部还用于在以下时刻承载所述晶圆：在所述沉积装置执行沉积作业时，所述晶圆辅支撑部与所述晶圆主支撑部共同承载所述晶圆。在一种可选的实施方式中，所述晶圆主支撑部通过第一连接部与所述反应腔的内壁连接；所述晶圆辅支撑部通过不同于所述第一连接部的第二连接部与所述反应腔的内壁连接。在一种可选的实施方式中，所述装置还包括：驱动部件，其中，所述驱动部件与所述晶圆主支撑部连接，用于带动所述晶圆主支撑部上下移动和/或沿中心轴转动。本申请实施例所提供的一种沉积装置，所述装置包括：反应腔及设置在所述反应腔内的晶圆主支撑部和晶圆辅支撑部；其中，所述晶圆主支撑部用于在所述沉积装置执行沉积作业时承载晶圆，并对晶圆进行加热；所述晶圆主支撑部通过在所述晶圆辅支撑部的下方进行上下移动及沿中心轴转动，以在再次承载所述晶圆时提供与晶圆接触面发生转动的相对位置；所述晶圆辅支撑部用于在以下时刻承载所述晶圆：在所述晶圆主支撑部在所述晶圆辅支撑部的下方进行移动和/或转动时。本申请实施例无需通过多次进出反应腔的方式来改变晶圆和加热器之间的相对位置，在反应腔中即可改变晶圆和加热器之间的相对位置，无需对晶圆进行多次清洁，从而在不影响WPH的前提下，提高了沉积的均匀度。附图说明图1为本申请实施例提供的沉积装置的侧面剖视图；图2为本申请实施例提供的晶圆主支撑部的一种实施方式的俯视图；图3为本申请实施例提供的晶圆辅支撑部的一种实施方式的俯视图；图4为图2中晶圆主支撑部和图3中晶圆辅支撑部的组合结构的俯视图；图5为本申请实施例提供的晶圆主支撑部的另一种实施方式的俯视图；图6为本申请实施例提供的晶圆辅支撑部的另一种实施方式的俯视图；图7为图5中晶圆主支撑部和图6中晶圆辅支撑部的组合结构的俯视图；图8为本申请实施例提供的一种沉积装置的侧面剖视图；图9a至图9d为本申请实施例提供的一种沉积装置的局部结构的侧面剖视图；图10a至图10c为本申请实施例提供的一种沉积装置的侧面剖视图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在……上”、“与……相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在……上”、“与……直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沉积装置，其特征在于，所述装置包括：反应腔及设置在所述反应腔内的晶圆主支撑部和晶圆辅支撑部；其中，/n所述晶圆主支撑部用于在所述沉积装置执行沉积作业时承载晶圆，并对晶圆进行加热；/n所述晶圆主支撑部通过在所述晶圆辅支撑部的下方进行上下移动及沿中心轴转动，以在再次承载所述晶圆时提供与晶圆接触面发生转动的相对位置；/n所述晶圆辅支撑部用于在以下时刻承载所述晶圆：在所述晶圆主支撑部在所述晶圆辅支撑部的下方进行移动和/或转动时。/n

【技术特征摘要】
1.一种沉积装置，其特征在于，所述装置包括：反应腔及设置在所述反应腔内的晶圆主支撑部和晶圆辅支撑部；其中，
所述晶圆主支撑部用于在所述沉积装置执行沉积作业时承载晶圆，并对晶圆进行加热；
所述晶圆主支撑部通过在所述晶圆辅支撑部的下方进行上下移动及沿中心轴转动，以在再次承载所述晶圆时提供与晶圆接触面发生转动的相对位置；
所述晶圆辅支撑部用于在以下时刻承载所述晶圆：在所述晶圆主支撑部在所述晶圆辅支撑部的下方进行移动和/或转动时。


2.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，
所述晶圆主支撑部具有在承载晶圆时与晶圆接触的圆形接触面；
所述晶圆辅支撑部具有在承载晶圆时与晶圆接触的多个分离设置的接触部；
所述圆形接触面内具有容纳所述接触部的缺口。


3.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，
所述晶圆辅支撑部还具有环形连接部；
所述环形连接部位于所述接触部与晶圆接触的远端，所述环形连接部与多个所述接触部固定连接。


4.根据权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，
所述晶圆辅支撑部上的所述接触部的数量为3个以上，相邻两接触部之间的夹角相同。


5.根据权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，
所述晶圆主支撑部具有在承载晶圆时与晶圆接触的圆形接触面；
所述晶圆辅支撑部具有在承载晶圆时与晶圆接触的环形接触部；...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新胜，詹昶，徐乾坤，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42