基座和具备该基座的MOCVD装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种通过涂层来减少支承面上的温度偏差的基座和具备该基座的MOCVD装置。根据本发明专利技术一实施例的基座，可以是，具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面以及与所述支承面连接的侧面，所述基座构成为被感应线圈感应加热从而对所述基板进行支承的同时加热。可以是，所述基座包括：母材，由能够响应于所述感应线圈而感应加热的材质制成；以及涂层，涂布在所述母材的一部分或者全部表面而形成所述支承面的一部分或者全部，并具有与所述母材的磁性不同的磁性。根据本发明专利技术的基座和具备该基座的MOCVD装置，通过减少支承基板的支承面上的温度不均匀性，能够在基板上生长具有更均匀特性的薄膜，通过使用基于MOCVD工艺生长的基板，能够在元件制作时获得高产率。另外，根据本发明专利技术的MOCVD装置，能够测定正确的支承面上的温度。

Base and MOCVD device with the base

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基座和具备该基座的MOCVD装置
本专利技术涉及一种基座和具备该基座的MOCVD装置，更具体地涉及一种通过涂层来减少支承面上的温度偏差并能够测定正确的支承面上的温度的基座和具备该基座的MOCVD装置。
技术介绍
化学气相沉积(CVD；ChemicalVaporDeposition)是指使原料气体在被覆的基板上流动并通过赋予外部能量来分解原料气体从而通过气相化学反应形成薄膜的技术。为了正常进行化学反应，需要精确控制各种工艺条件以及环境，并需要供应用于活性化的能量以使原料气体自发引起化学反应。化学气相沉积可以分为利用几～几百个mTorr的低压力的LPCVD(LowPressureCVD；低压化学气相沉积)、利用等离子体使原料气体活性化的PECVD(Plasma-EnhancedCVD；等离子体增强化学气相沉积)、将在金属元素上键合有机物反应基团形态的气体分子用作原料的MOCVD(Metal-OrganicCVD；金属有机化学气相沉积)等。其中，MOCVD装置是指将III族烷基(有机金属原料气体)以及V族原料气体与高纯度的载气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基座，具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面以及与所述支承面连接的侧面，所述基座构成为被感应线圈感应加热从而对所述基板进行支承的同时加热，/n所述基座包括：/n母材，由能够响应于所述感应线圈而感应加热的材质制成；以及/n涂层，涂布在所述母材的一部分或者全部表面而形成所述支承面的一部分或者全部，并具有与所述母材的磁性不同的磁性。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170921 KR 10-2017-0122061;20180913 KR 10-2018-011.一种基座，具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面以及与所述支承面连接的侧面，所述基座构成为被感应线圈感应加热从而对所述基板进行支承的同时加热，
所述基座包括：
母材，由能够响应于所述感应线圈而感应加热的材质制成；以及
涂层，涂布在所述母材的一部分或者全部表面而形成所述支承面的一部分或者全部，并具有与所述母材的磁性不同的磁性。


2.根据权利要求1所述的基座，其中，
所述感应线圈布置成围绕所述侧面。


3.根据权利要求1所述的基座，其中，
所述母材具有反磁性和顺磁性中任意一个磁性，
所述涂层具有另一个磁性。


4.根据权利要求1所述的基座，其中，
所述母材由石墨制成，
所述涂层包含碳化钽。


5.根据权利要求4所述的基座，其中，
所述碳化钽为TaCx，x大于0.9。


6.根据权利要求2所述的基座，其中，
所述涂层为第一涂层，
所述基座还包括由碳化硅制成的第二涂层，
所述第一涂层形成为覆盖所述母材的一部分，
所述第二涂层形成为至少覆盖未涂布有所述第一涂层的所述母材的表面。


7.根据权利要求6所述的基座，其中，
所述第一涂层位于所述支承面的边缘部分，
所述第二涂层位于所述支承面的中心部分。...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵广一，金南绪，崔成哲，
申请(专利权)人：TES股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR