【技术实现步骤摘要】
赋予掺杂硼的碳膜静电夹持及极佳颗粒性能的渐变原位电荷捕捉层本申请是申请日为2016年5月16日、申请号为“201680029154.0”、专利技术名称为“赋予掺杂硼的碳膜静电夹持及极佳颗粒性能的渐变原位电荷捕捉层”的专利技术专利申请的分案申请。背景
本专利技术实施例大体上关于处理腔室(例如半导体处理腔室)用的调整膜，及涂覆和使用所述调整膜的方法。
技术介绍
下一代器件的其中一方面是从所处理的每个硅基板获得更高产量及更佳的器件良率和性能。未来诸代的NAND及DRAM器件具更多由氮氧化物沉积物所形成的多个堆栈，从而造成进料基板具有超过±200微米的弓形。在膜层沉积期间若没有足够的夹持力使基板保持平坦，会变得难以使膜性质(例如，斜角覆盖率、厚度及蚀刻选择性)达到均匀一致。可能通过静电夹持来消除基板的弓形，从而增进膜性质的均匀性。然而，在处理腔室内涂覆有调整层以用来保护处理腔室部件，而基板的静电夹持作用经常受到所述调整层的影响。调整膜的一个示例是含硼的碳膜。虽然含硼的碳膜有助于静电夹持作用，但含硼的碳...
【技术保护点】
1.一种沉积调整层的方法，包括以下步骤：/n将硼前体流入处理腔室中达第一时段；/n在所述第一时段期间，形成所述调整层的基底部分，所述基底部分包括非晶硼；/n在第二时段期间，改变所述硼前体的流动速率；及/n在所述第二时段期间，于所述基底部分上形成所述调整层的顶部部分，所述顶部部分在所述顶部部分中比在所述基底部分中具有更高的碳浓度。/n
【技术特征摘要】
20150605 US 62/171,751;20150708 US 62/190,1201.一种沉积调整层的方法，包括以下步骤：
将硼前体流入处理腔室中达第一时段；
在所述第一时段期间，形成所述调整层的基底部分，所述基底部分包括非晶硼；
在第二时段期间，改变所述硼前体的流动速率；及
在所述第二时段期间，于所述基底部分上形成所述调整层的顶部部分，所述顶部部分在所述顶部部分中比在所述基底部分中具有更高的碳浓度。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述硼前体在所述第一时段期间被热分解。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述第二时段期间对所述处理腔室施加RF功率。
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述基底部分和所述顶部部分之间形成所述调整层的中间部分，所述中间部分包括比所述基底部分更高的氮浓度。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一时段在约5秒至约30秒的范围内。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第二时段在约10秒至约20秒的范围内。
7.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在将所述硼前体引入处理腔室内之前，先将清洗气体引入所述处理腔室内，其中所述清洗气体包括O2、Ar及NF3其中一者或更多者。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述硼前体选自于由二硼烷、邻碳硼烷及三甲基环硼氮烷所构成的群组中。
9.如权利要求4所述的方法，其中在所述第二时段期间形成所述调整层的所述中间部分。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述调整层的表面处的硼浓度约为零。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述调整层被沉积到约至约的厚度。
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【专利技术属性】
技术研发人员：P·K·库尔施拉希萨，段子青，A·A·哈贾，Z·J·叶，A·K·班塞尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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