用于薄膜晶体管(TFT)装置之半导体图案化技术制造方法及图纸

一种技术，包含以下步骤：在包含用于一或多个晶体管装置之至少源极与漏极导体(4,6)之基体(2)上方形成半导体的至少一第一层(8)，其提供用于所述一或多个晶体管装置的一或多个半导体通道；在所述第一层上方形成界定用于所述一或多个晶体管装置之栅极介电体之至少一部分的第二层(10)；在所述第二层中生成图案，而不沉积任何暂时性材料到所述第二层上；及使用所述第二层中的所述图案来图案化所述第一层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于薄膜晶体管(TFT)装置之半导体图案化技术
技术介绍
一薄膜晶体管(TFT)装置可包含界定TFT之导体、半导体及绝缘体组件的一层体堆叠。此层体堆叠的构成可包含沉积(depositing)及图案化(patterning)可提供TFT装置之一半导体通道的至少一半导体层。用以在一顶栅极TFT装置中图案化一半导体层的一传统技术涉及于所述半导体层上方形成一第一栅极介电层；于所述第一栅极介电层上方沉积光阻材料；图案化所沉积的光阻材料；利用图案化的阻剂作为一保护罩，以同时图案化所述半导体层及所述第一栅极介电层两者；及在透过于所述第一栅极介电层上方形成一第二栅极介电层、与在所述第二栅极介电层上方形成一导体图案来持续建构所述堆叠之前将图案化的阻剂化学性剥除，其中所述导体图案界定TFT装置的至少一栅极导体。
技术实现思路
本案之专利技术人已着手研究进一步改善TFT性能，且发现TFT性能可借由不使用一光阻技术来经由第一栅极介电层图案化半导体即能改善。本案之专利技术人认为此种TFT性能的改善是由于第一与第二栅极介电层间之界面的改善所致。因此，提供一种方法，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包含以下步骤：/n在包含用于一或多个晶体管装置之至少源极与漏极导体的基体上方，形成半导体的至少一第一层，其提供用于所述一或多个晶体管装置之一或多个半导体通道；/n在所述第一层上方形成第二层，其界定用于所述一或多个晶体管装置之栅极介电体的至少一部分；/n在所述第二层中生成图案，而不沉积任何暂时性材料到所述第二层上；及/n使用所述第二层中之所述图案来图案化所述第一层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 GB 1715794.21.一种方法，其包含以下步骤：
在包含用于一或多个晶体管装置之至少源极与漏极导体的基体上方，形成半导体的至少一第一层，其提供用于所述一或多个晶体管装置之一或多个半导体通道；
在所述第一层上方形成第二层，其界定用于所述一或多个晶体管装置之栅极介电体的至少一部分；
在所述第二层中生成图案，而不沉积任何暂时性材料到所述第二层上；及
使用所述第二层中之所述图案来图案化所述第一层。


2.根据权利要求1所述之方法，其中在所述第二层中生成图案之步骤包含：
将所述第二层对所述图案之一影像暴露，以在所述第二层中生成可溶性图案，所述可溶性图案界定所述第二层之不同区域间在第一溶剂中的可溶性差异；及
利用所述第一溶剂来使所述可溶性图案显影，并在所述第二层中生成一实体图案。


3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：赫维·凡德克霍夫，乔佛瑞·杜瑞，
申请(专利权)人：弗莱克英纳宝有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB