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一种技术，包含以下步骤：在包含用于一或多个晶体管装置之至少源极与漏极导体(4,6)之基体(2)上方形成半导体的至少一第一层(8)，其提供用于所述一或多个晶体管装置的一或多个半导体通道；在所述第一层上方形成界定用于所述一或多个晶体管装置之栅极...
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