形成全环栅(GAA)FET的方法以及具有GAA FET的半导体器件技术

本发明专利技术的实施例提供了一种形成全环栅(GAA)FET的方法以及具有GAA FET的半导体器件。在形成全环栅场效应晶体管(GAA FET)的方法中，在衬底上方形成底部支撑层，并且在底部支撑层上方设置第一组碳纳米管(CNT)。在第一组CNT和底部支撑层上方形成第一支撑层，从而使得第一组CNT嵌入到第一支撑层中。在第一支撑层上方设置第二组碳纳米管(CNT)。在第二组CNT和第一支撑层上方形成第二支撑层，从而使得第二组CNT嵌入到第二支撑层中。通过至少图案化第一支撑层和第二支撑层来形成鳍结构。

The method of forming GAA FET and semiconductor devices with GAA FET

【技术实现步骤摘要】
形成全环栅(GAA)FET的方法以及具有GAAFET的半导体器件
本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及形成全环栅场效应晶体管(GAAFET)的方法以及具有GAAFET的半导体器件。
技术介绍
随着半导体产业在追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本的过程中已经进入纳米技术工艺节点，来自制造和设计的挑战已经导致诸如全环栅(GAA)结构的三维设计的发展。非Si基的低维材料是提供优异的静电(例如，用于短沟道效应)和更高的性能(例如，更少的表面散射)的有希望的候选者。碳纳米管(CNT)由于其高载流子迁移率和基本一维的结构而被认为是一种有希望的候选者。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种形成全环栅场效应晶体管(GAAFET)的方法，所述方法包括：在衬底上方形成底部支撑层；在所述底部支撑层上方设置第一组碳纳米管(CNT)；在所述第一组碳纳米管和所述底部支撑层上方形成第一支撑层，从而使得所述第一组碳纳米管嵌入到所述第一支撑层中；在所述第一支撑层上方设置第二组碳纳米管(CNT)；在所述第二组碳纳米管和所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成全环栅场效应晶体管(GAA FET)的方法，所述方法包括：/n在衬底上方形成底部支撑层；/n在所述底部支撑层上方设置第一组碳纳米管(CNT)；/n在所述第一组碳纳米管和所述底部支撑层上方形成第一支撑层，从而使得所述第一组碳纳米管嵌入到所述第一支撑层中；/n在所述第一支撑层上方设置第二组碳纳米管(CNT)；/n在所述第二组碳纳米管和所述第一支撑层上方形成第二支撑层，从而使得所述第二组碳纳米管嵌入到所述第二支撑层中；以及/n通过至少图案化所述第一支撑层和所述第二支撑层来形成鳍结构。/n

【技术特征摘要】
20180831 US 16/120,1581.一种形成全环栅场效应晶体管(GAAFET)的方法，所述方法包括：
在衬底上方形成底部支撑层；
在所述底部支撑层上方设置第一组碳纳米管(CNT)；
在所述第一组碳纳米管和所述底部支撑层上方形成第一支撑层，从而使得所述第一组碳纳米管嵌入到所述第一支撑层中；
在所述第一支撑层上方设置第二组碳纳米管(CNT)；
在所述第二组碳纳米管和所述第一支撑层上方形成第二支撑层，从而使得所述第二组碳纳米管嵌入到所述第二支撑层中；以及
通过至少图案化所述第一支撑层和所述第二支撑层来形成鳍结构。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，重复形成一组碳纳米管和形成支撑层，以形成其中嵌入有碳纳米管的n个支撑层，其中，n是三或更大的整数。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述底部支撑层包括绝缘材料。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是半导体材料。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一支撑层和所述第二支撑层由相同的材料制成。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一支撑层和所述第二支撑层包括Si、Ge和SiGe中的一种的多晶材料或非晶材料。


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【专利技术属性】
技术研发人员：堤姆斯·文森，马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔，荷尔本·朵尔伯斯，麦特西亚斯·帕斯拉克，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71