半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本技术涉及：一种半导体装置，可以被改善，使得可以提高形成有布线层的玻璃衬底的可靠性；以及用于生产该半导体装置的方法。半导体装置设置有：具有一个或多个布线层的玻璃衬底，布线层包括在其前表面或前表面和后表面上形成的布线；电子组件，布置在形成于玻璃衬底中的玻璃开口内；以及重布线线路，将玻璃衬底的布线线路和电子组件彼此连接。本技术可应用于例如高频前端模块等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及其制造方法
本技术涉及一种半导体装置及其制造方法，并且特别涉及一种能够提高其上形成有布线层的玻璃衬底的可靠性的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
在以移动装置为代表的最新电子装置中，除了不断要求安装在装置中的电子组件更小更薄之外，还需要应对伴随所使用元件的更高性能、更高功能以及通信速度和容量的增加而引起的信号频率的增加。为了满足这些要求，已经开发了各种安装和封装技术。在这些技术中，例如，存在非专利文献1中公开的扇出晶片级封装(FO-WLP)。这是一种所谓的扇出型封装，其中，在裸芯片上形成的再分布层(RDL)延伸到芯片的外形之外。FO-WLP通过将常规晶片工艺中使用的薄膜布线工艺应用于再分布层工艺来实现小型化。期望FO-WLP实现其中多个芯片通过高密度布线连接的多芯片模块，并且与传统封装相比实现尺寸和厚度的显著减小。形成FO-WLP的方法包括非专利文献1中公开的芯片优先系统，在该系统中，形成了其中裸芯片嵌入在模制树脂中的伪晶片并且在伪晶片上形成再分布层，和其中裸芯片倒装安装在先前形成的再分布层上的所谓的RDL优先系统；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n玻璃衬底，在所述玻璃衬底的前表面上或前表面和后表面上形成有包含一层或多层布线的布线层；/n电子组件，布置在形成于所述玻璃衬底上的开口内；以及/n连接所述玻璃衬底的所述布线和所述电子组件的再分布层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171011 JP 2017-1977271.一种半导体装置，包括：
玻璃衬底，在所述玻璃衬底的前表面上或前表面和后表面上形成有包含一层或多层布线的布线层；
电子组件，布置在形成于所述玻璃衬底上的开口内；以及
连接所述玻璃衬底的所述布线和所述电子组件的再分布层。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，布线层未形成区域的开口宽度比在所述玻璃衬底上形成的开口的宽度宽，所述布线层未形成区域是在所述玻璃衬底的所述前表面上或所述前表面和所述后表面上未形成所述布线层的区域。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述玻璃衬底上形成的开口的除电子组件以外的区域至少填充有树脂。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，在所述电子组件的与形成有连接到所述再分布层的端子的表面相反的一侧的后表面侧，填充有热辐射传导材料。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，
其中，所述布线层仅形成在所述玻璃衬底的所述前表面上，并且
所述热辐射传导材料被填充至达到所述玻璃衬底的所述后表面的高度。


6.根据权利要求4所述的半导体装置，
其中，所述布线层形成在所述玻璃衬底的所述前表面和所述后表面上，并且
所述热辐射传导材料填充至达到所述玻璃衬底的所述后表面上的布线层的高度。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
在所述玻璃衬底的后表面侧的散热器。


8.根据权利要求7所述的半导体装置，
其中，所述散热器通过使用导电材料而形成，并且还用作接地端子。


9.根据权利要求1的半导体装置，
其中，在所述玻璃衬底上形成有多个开口，并且
所述电子组件布置在所述多个开口中的每个开口内。


10.根据权利要求1的半导体装置，
其中，通过使用所述布线层的所述布线来形成天线电路、滤波器电路以及无源元件中的至少一项。...

【专利技术属性】
技术研发人员：御手洗俊，柳川周作，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP