一种稳定可靠的复位电路制造技术

本发明专利技术提供一种稳定可靠的复位电路，MCU下侧依次连接电阻R17、三极管Q3后接地，电阻R17、三极管Q3之间左侧串联有MCU‑RESET复位引脚，MCU右侧依次串联接有电容C24、电阻R19后接地，三极管Q3右侧连接有电阻R18，电阻R18右端连接在电容C24、电阻R19之间，电容C24、电阻R19之间右侧连接二极管D1后接地。该电路复位可靠性较高，利用了三极管对波形进行整形，使得下降沿近似垂直线。该电路经过大量的机型验证，电路稳定可靠，具有良好的可推广性。

【技术实现步骤摘要】
一种稳定可靠的复位电路
本专利技术涉及复位电路结构领域，尤其涉及一种稳定可靠的复位电路。
技术介绍
所有带微处理功能的芯片及系统，在上电时都需要复位，将所有寄存器数据清理，这样才能够保证程序正常运行。复位电路要求下降沿越陡峭越好。绝大多数的微处理芯片都有一个专门的RESET复位引脚，当此脚为低电平时复位，复位的持续时间因单片机型号而异，大于两个机器周期是普遍的做法，复位时间较长，因此解决这个问题就变得很重要了。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种稳定可靠的复位电路，通过电容C24与电阻R19构成了一个微分电路，MCU电压施加到电容C24上面，电容瞬间完成充电过程，电容C24上面的正脉冲电压会使三极管Q3瞬间饱和导通，集电极点位瞬间变为0V，解决了复位慢的问题。本专利技术提供一种稳定可靠的复位电路，MCU下侧依次连接电阻R17、三极管Q3后接地，电阻R17、三极管Q3之间左侧串联有MCU-RESET复位引脚，MCU右侧依次串联接有电容C24、电阻R19后接地，三极管Q3右侧连接有电阻R18，电阻R18右端连接在电容C24、电阻R19之间，电容C24、电阻R19之间右侧连接二极管D1后接地。进一步改进在于：MCU工作电压为3.3V。进一步改进在于：电阻R17、电阻R18、电阻R19都为100K。进一步改进在于：三极管Q3为BC846B。进一步改进在于：电容C24为104PF。进一步改进在于：二极管D1为1N4148。本专利技术的有益效果：通过电容C24与电阻R19构成了一个微分电路，MCU电压施加到电容C24上面，电容瞬间完成充电过程，电容C24上面的正脉冲电压会使三极管Q3瞬间饱和导通，集电极点位瞬间变为0V，缩短复位电平下降沿的时间，使复位动作完成能够赶在程序运行之前，提高了复位效率，电路更加稳定可靠。附图说明图1是本专利技术的电路图。具体实施方式为了加深对本专利技术的理解，下面将结合实施例对本专利技术作进一步详述，该实施例仅用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术保护范围的限定。如图1所示，本实施例提供一种稳定可靠的复位电路，Q3MCU下侧依次连接电阻R17、三极管Q3后接地，电阻R17、三极管Q3之间左侧串联有MCU-RESET复位引脚，MCU右侧依次串联接有电容C24、电阻R19后接地，三极管Q3右侧连接有电阻R18，电阻R18右端连接在电容C24、电阻R19之间，电容C24、电阻R19之间右侧连接二极管D1后接地。MCU工作电压为3.3V。电阻R17、电阻R18、电阻R19都为100K。三极管Q3为BC846B。电容C24为104PF。二极管D1为1N4148。通过电容C24与电阻R19构成了一个微分电路，MCU电压施加到电容C24上面，电容瞬间完成充电过程，电容C24上面的正脉冲电压会使三极管Q3瞬间饱和导通，集电极点位瞬间变为0V，缩短复位电平下降沿的时间，使复位动作完成能够赶在程序运行之前，提高了复位效率，电路更加稳定可靠。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种稳定可靠的复位电路，其特征在于：MCU下侧依次连接电阻R17、三极管Q3后接地，电阻R17、三极管Q3之间左侧串联有MCU-RESET复位引脚，MCU右侧依次串联接有电容C24、电阻R19后接地，三极管Q3右侧连接有电阻R18，电阻R18右端连接在电容C24、电阻R19之间，电容C24、电阻R19之间右侧连接二极管D1后接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种稳定可靠的复位电路，其特征在于：MCU下侧依次连接电阻R17、三极管Q3后接地，电阻R17、三极管Q3之间左侧串联有MCU-RESET复位引脚，MCU右侧依次串联接有电容C24、电阻R19后接地，三极管Q3右侧连接有电阻R18，电阻R18右端连接在电容C24、电阻R19之间，电容C24、电阻R19之间右侧连接二极管D1后接地。


2.如权利要求1所述的一种稳定可靠的复位电路，其特征在于：MCU工作电压为3.3V。

【专利技术属性】
技术研发人员：邱万富，郭旭，胡旻韬，田学林，黄德波，梁小彬，
申请(专利权)人：芜湖宏景电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34