一种纯CMOS超低功耗上电复位电路制造技术

本发明专利技术公开了一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，包括用于产生偏置电流的第一支路、用于监测电源电压的第二支路和用于对复位信号进行整形的第三支路，所述第一支路包括MOS管M1和由P1个PMOS管依次串联组成的第一串接电路，第一串接电路一端接电源，另一端接MOS管M1的漏极，第一串接电路中的PMOS管的栅极均接地，第二支路包括MOS管M2和由P2个PMOS管依次串联组成的第二串接电路，本发明专利技术可以在各种上电时间情况下产生有效的上电复位信号，实现此功能电路需要面积小，功耗低。由于电路只采用PMOS和NMOS两种器件类型，可有效的适用于各种CMOS工艺制程芯片中。

A pure CMOS ultra-low power on reset circuit

【技术实现步骤摘要】
一种纯CMOS超低功耗上电复位电路
本专利技术涉及一种上电复位电路，具体是一种纯CMOS超低功耗上电复位电路。
技术介绍
电子系统都存在上电过程，在上电过程中系统内的状态都是不确定的，有可能让系统出现错误操作。为了避免此情况发生，需要系统上电时提供一个复位信号，通过此信号强制让系统在上电过程中处于复位状态。系统上电过程图如图1所示。常见的一种上电复位电路一种电路如图2所示。其工作原理如下：在系统掉电的时候VC电压会释放到0V，当系统上电的时候，PMOS管PM1、PM2会由截止慢慢到导通，给电容C充电，电压VC逐渐上升，当VC可以触发迟滞反相器时，可以使上电复位信号POR释放。现有技术的电路缺点如下：电容较大，会占用较大芯片面积；慢上电时VC会跟随电源，导致上电复位信号过早释放。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，包括用于产生偏置电流的第一支路、用于监测电源电压的第二支路和用于对复位信号进行整形的第三支路，所述第一支路包括MOS管M1和由P1个PMOS管依次串联组成的第一串接电路，第一串接电路一端接电源，另一端接MOS管M1的漏极，第一串接电路中的PMOS管的栅极均接地，第二支路包括MOS管M2和由P2个PMOS管依次串联组成的第二串接电路，第二串接电路一端接电源，另一端接MOS管M2的漏极，第二串接电路中的PMOS管的栅极均接地，第三支路包括迟滞反相器U1和缓冲器U2，MOS管M2的漏极还连接迟滞反相器U1的输入端，迟滞反相器U1的输出端连接缓冲器U2的输入端，缓冲器U2的输出端输出上电复位信号POR。作为本专利技术的进一步技术方案：所述MOS管M1和MOS管M2均为NMOS管。作为本专利技术的进一步技术方案：所述PMOS管的阈值电压为Vthp，电源VDD上电时，MOS管M1的电流随电源电压而变大，当VDD＜Vthp时，MOS管M1和P1个PMOS管都处于截止区，此时所有电路均不工作，当VDD＞Vthp时，MOS管M1工作在饱和区，其电流通过以下公式求得：IM1＝KNm1(VA-Vthn)2P1个PMOS管工作在线性区，它的电流和M1的电流相等，计算公式如下：IM1＝KP1(VDD-|Vthp|)(VDD-VA)其中IM1为MOS管M1漏极到源极电流，KNm1为MOS管M1的特征参数，Vthn为NMOS管的阈值电压；KP1为P1个PMOS管的等效特征参数，VDD为电源电压。作为本专利技术的进一步技术方案：当VDD＜Vthp时候，MOS管M2和P2个PMOS管都处于截止区，此时所有电路均不工作，当VDD＞Vthp时，MOS管M2工作区由线性区逐渐过渡到饱和区，从而镜像M1的电流；P2个PMOS管工作在线性区；在线性区时，第二支路虚满足下述公式：IM2＝KNm2(VA-Vthn)VBIM2＝KP2(VDD-|Vthp|)(VDD-VB)其中IM2为MOS管M2漏极到源极电流，KNm2为MOS管M2的特征参数，KP2为P2个PMOS管的等效特征参数。作为本专利技术的进一步技术方案：所述PMOS管采用倒比管。作为本专利技术的进一步技术方案：所述MOS管M1和MOS管M2均采用倒比管。作为本专利技术的进一步技术方案：所述PMOS管、MOS管M1和MOS管M2均采用CMOS工艺实现。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术可以在各种上电时间情况下产生有效的上电复位信号，实现此功能电路需要面积小，功耗低。由于电路只采用PMOS和NMOS两种器件类型，可有效的适用于各种CMOS工艺制程芯片中。附图说明图1为现有技术系统上电过程示意图；图2为现有技术上电复位电路图；图3为本专利技术的电路示意图；图4是电压VA和电流IM1与电源电压VDD的关系曲线图；图5为VB与电源电压的关系曲线图。图6为迟滞反相器的的电路结构图。图7为缓冲器的电路结构图。图8为电源和电流、复位信号的仿真结果曲线图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1：请参阅图3-8，一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，包括用于产生偏置电流的第一支路、用于监测电源电压的第二支路和用于对复位信号进行整形的第三支路，所述第一支路包括MOS管M1和由P1个PMOS管依次串联组成的第一串接电路，第一串接电路一端接电源，另一端接MOS管M1的漏极，第一串接电路中的PMOS管的栅极均接地，第二支路包括MOS管M2和由P2个PMOS管依次串联组成的第二串接电路，第二串接电路一端接电源，另一端接MOS管M2的漏极，第二串接电路中的PMOS管的栅极均接地，第三支路包括迟滞反相器U1和缓冲器U2，MOS管M2的漏极还连接迟滞反相器U1的输入端，迟滞反相器U1的输出端连接缓冲器U2的输入端，缓冲器U2的输出端输出上电复位信号POR。其具体工作原理如下：第一支路，当电源VDD上电时，M1的电流随电源电压逐渐变大。VDD＜Vthp时候，M1和P1个PMOS都处于截止区，此时所有电路均不工作。当VDD＞Vthp时，M1工作在饱和区的电流可以通过公式1决定；P1个PMOS管工作在线性区，其电流由公式2决定，它的电流和M1的电流相等。IM1＝KNm1(VA-Vthn)2(1)IM1＝KP1(VDD-|Vthp|)(VDD-VA)(2)其中IM1为M1管漏端到源端电流，KNm1为M1的特征参数，Vthn为NMOS管的阈值电压；KP1为P1个PMOS的等效特征参数，VDD为电源电压，Vthp为PMOS管的阈值电压。由公式1和公式2可以确定电压VA和电流IM1与电源电压VDD的关系。其波形如图4所示。第二支路，VDD＜Vthp时候，M2和P2个PMOS都处于截止区，此时所有电路均不工作。VDD＞Vthp时，M2工作区由线性区逐渐过渡到饱和区，可镜像M1的电流；P2个PMOS管工作在线性区；在线性区时，支路2满足公式3和公式4；M2进入饱和区的时候其电流与M1的电流几乎相等。电压关系满足公式4。IM2＝KNm2(VA-Vthn)VB(3)IM2＝KP2(VDD-|Vthp|)(VDD-VB)(4)其中IM2为M2管漏端到源端电流，KNm2为M2的特征参数，Vthn为NMOS管的阈值电压；KP2为P2个PMOS的等效特征参数，VDD为电源电压，Vthp为PMOS管的阈值电压。由公式1、公式2和公式3、公式4可得到VB与电源电压的关系。其波形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，包括用于产生偏置电流的第一支路、用于监测电源电压的第二支路和用于对复位信号进行整形的第三支路，其特征在于，所述第一支路包括MOS管M1和由P1个PMOS管依次串联组成的第一串接电路，第一串接电路一端接电源，另一端接MOS管M1的漏极，第一串接电路中的PMOS管的栅极均接地，第二支路包括MOS管M2和由P2个PMOS管依次串联组成的第二串接电路，第二串接电路一端接电源，另一端接MOS管M2的漏极，第二串接电路中的PMOS管的栅极均接地，第三支路包括迟滞反相器U1和缓冲器U2，MOS管M2的漏极还连接迟滞反相器U1的输入端，迟滞反相器U1的输出端连接缓冲器U2的输入端，缓冲器U2的输出端输出上电复位信号POR。/n

【技术特征摘要】
1.一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，包括用于产生偏置电流的第一支路、用于监测电源电压的第二支路和用于对复位信号进行整形的第三支路，其特征在于，所述第一支路包括MOS管M1和由P1个PMOS管依次串联组成的第一串接电路，第一串接电路一端接电源，另一端接MOS管M1的漏极，第一串接电路中的PMOS管的栅极均接地，第二支路包括MOS管M2和由P2个PMOS管依次串联组成的第二串接电路，第二串接电路一端接电源，另一端接MOS管M2的漏极，第二串接电路中的PMOS管的栅极均接地，第三支路包括迟滞反相器U1和缓冲器U2，MOS管M2的漏极还连接迟滞反相器U1的输入端，迟滞反相器U1的输出端连接缓冲器U2的输入端，缓冲器U2的输出端输出上电复位信号POR。


2.根据权利要求1所述的一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，其特征在于，所述MOS管M1和MOS管M2均为NMOS管。


3.根据权利要求1所述的一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，其特征在于，所述PMOS管的阈值电压为Vthp，电源VDD上电时，MOS管M1的电流随电源电压而变大，当VDD＜Vthp时，MOS管M1和P1个PMOS管都处于截止区，此时所有电路均不工作，当VDD＞Vthp时，MOS管M1工作在饱和区，其电流通过以下公式求得：
IM1＝KNm1(VA-Vthn)2
P1个PMOS管工作在线性区，它的电流和M1的电流相等，计...

【专利技术属性】
技术研发人员：江永林，李拥军，周健，
申请(专利权)人：李拥军，
类型：发明
国别省市：安徽;34