排气系统及半导体设备技术方案

技术编号:24098574 阅读:88 留言:0更新日期:2020-05-09 11:42
本发明专利技术提供了一种排气系统及半导体设备,包括排气管道及若干管道连接件,所述管道连接件具有与所述排气管道连通的接头本体,所述接头本体的至少一段管壁上设置有呈环状排布的若干气体喷射孔道,所述气体喷射孔道用于接收惰性气体并将所述惰性气体喷射至所述接头本体内,使所述废气与所述惰性气体混合,避免所述废气遇冷附着于所述排气管道的内壁上,且所述惰性气体提供的扰流也能够使废气在流经的方向上阻力减少,避免废气回灌至抽气单元中,可以有效的减小所述抽气单元被破坏的风险。

Exhaust system and semiconductor equipment

【技术实现步骤摘要】
排气系统及半导体设备
本专利技术涉及半导体制备
,尤其涉及一种排气系统及半导体设备。
技术介绍
在半导体工业制成中,膜层淀积设备是非常普遍的机台,例如化学气相沉积设备、物理气相沉积设备或外延炉设备等等,在膜层淀积的过程中通常会产生废气,需要用真空泵将机台中的将高温的废气抽出,并且为了不产生污染,抽出的废气会通过排气系统输送至一废气处理系统中进行废气处理,但是高温的废气在排气系统的排气管道中流通的过程中,温度会慢慢降低,导致未反应完全的残气附着于排气管道的管壁上,进而导致管路堵塞而使真空泵排气受到影响而堵塞,所以真空泵排气管路需频繁配合保养清洁或清洗,保养时需将真空泵停机,使膜层淀积设备亦需配合保养停机,除了影响膜层淀积设备产能利用率之外,也因为保养拆装时会造成大量粉尘掉落,也会影响环境。进一步,由于没有办法避免因加热不均造成反应不完全的废气附着于管路上导致真空泵排气异常,可能因为压力回冲造成真空泵被破坏使压力回灌导致粉尘附着于硅片上,导致硅片报废。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种排气系统及半导体设备,以解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种排气系统,其特征在于,包括:/n排气管道,用于排放废气;以及,/n若干管道连接件,与所述排气管道连接;其中,所述管道连接件具有与所述排气管道连通的接头本体,所述接头本体的至少一段管壁上设置有呈环状排布的若干气体喷射孔道,所述气体喷射孔道用于接收惰性气体并将所述惰性气体喷射至所述接头本体内。/n

【技术特征摘要】
1.一种排气系统,其特征在于,包括:
排气管道,用于排放废气;以及,
若干管道连接件,与所述排气管道连接;其中,所述管道连接件具有与所述排气管道连通的接头本体,所述接头本体的至少一段管壁上设置有呈环状排布的若干气体喷射孔道,所述气体喷射孔道用于接收惰性气体并将所述惰性气体喷射至所述接头本体内。


2.如权利要求1所述的排气系统,其特征在于,所述接头本体的至少一段管壁上设置有环形空腔,所述环形空腔的进气口连接至一惰性气体供给设备,以向所述环形空腔中通入所述惰性气体,以及多个所述气体喷射孔道沿着所述环形空腔环状排布,并与所述环形空腔连通,以使所述环形空腔中的所述惰性气体通过所述气体喷射孔道体喷射至所述接头本体内。


3.如权利要求2所述的排气系统,其特征在于,在所述排气管道中通入有废气时,所述惰性气体从所述气体喷射孔道中沿着所述废气的流经方向喷射出,并呈涡流状汇入所述废气。


4.如权利要求3所述的排气系统,其特征在于,通入所述排气管道的废气的温度介于100摄氏度-150摄氏度,从所述气体喷射孔道中喷出的惰性气体的温度大于100摄氏度。


5.如权利要求1或2所述的排气系统,其特征在于,所述气体喷射孔道的轴向与所述接头本体的径向之间构成一夹...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:发明
国别省市:安徽;34

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