【技术实现步骤摘要】
频率检测电路相关申请的交叉引用本申请要求于2018年10月30日提交的申请号为10-2018-0130650的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
各个实施例涉及一种频率检测电路,其检测周期波的频率。
技术介绍
各种集成电路芯片同步于时钟进行操作并且支持针对时钟的各种频率的操作。例如,几乎所有的存储器都同步于时钟进行操作,并且时钟的频率可以根据预期的性能而不同。为了在支持各种频率的操作的同时确保集成电路芯片的正确操作,有必要检测输入到集成电路芯片的时钟的频率,并且根据检测到的频率来改变操作和控制方法。因此,需要一种可以准确地检测诸如时钟的周期波的频率并且具有简单结构的频率检测电路。
技术实现思路
各个实施例针对一种利用简单的电路配置来准确地检测频率的技术。在一个实施例中,一种频率检测电路可以包括:脉冲发生器,其被配置为产生具有与要被测量的周期波的周期成比例的脉冲宽度的脉冲信号;低通滤波器,其被配置为选择性地使脉冲信号从其通过;以及判定电路,其被配置为基于已通过低通滤波器的脉冲信号来产生频率检测信号。在一个实施例中,一种频率检测电路可以包括:脉冲发生器,其被配置为产生具有与要被测量的周期波的周期成比例的脉冲宽度的脉冲信号;第一低通滤波器,其被配置为选择性地使脉冲信号从其通过,并且具有第一截止频率;第二低通滤波器,其被配置为选择性地使脉冲信号从其通过,并且具有与第一截止频率不同的第二截止频率;以及判定电路,其被配置为基于已通过第一低通滤波器的第一脉冲信号和 ...
【技术保护点】
1.一种频率检测电路,包括:/n脉冲发生器,其被配置为产生具有与要被测量的周期波的周期成比例的脉冲宽度的脉冲信号;/n低通滤波器,其被配置为选择性地使所述脉冲信号从其通过;以及/n判定电路,其被配置为基于已通过所述低通滤波器的脉冲信号来产生频率检测信号。/n
【技术特征摘要】
20181030 KR 10-2018-01306501.一种频率检测电路,包括:
脉冲发生器,其被配置为产生具有与要被测量的周期波的周期成比例的脉冲宽度的脉冲信号;
低通滤波器,其被配置为选择性地使所述脉冲信号从其通过;以及
判定电路,其被配置为基于已通过所述低通滤波器的脉冲信号来产生频率检测信号。
2.根据权利要求1所述的频率检测电路,其中,所述判定电路通过检测已通过所述低通滤波器的所述脉冲信号的激活或去激活来产生所述频率检测信号。
3.根据权利要求1所述的频率检测电路,其中,所述判定电路包括D触发器,所述D触发器被配置为:经由其D端子接收使能信号,经由其时钟端子接收已通过所述低通滤波器的所述脉冲信号,以及经由其Q端子输出所述频率检测信号。
4.根据权利要求1所述的频率检测电路,其中,所述低通滤波器包括彼此串联连接的多个反相器。
5.一种频率检测电路,包括:
脉冲发生器,其被配置为产生具有与要被测量的周期波的周期成比例的脉冲宽度的脉冲信号;
第一低通滤波器,其被配置为选择性地使所述脉冲信号从其通过,并且具有第一截止频率;
第二低通滤波器,其被配置为选择性地使所述脉冲信号从其通过,并且具有与所述第一截止频率不同的第二截止频率;以及
判定电路,其被配置为:基于已通过所述第一低通滤波器的第一脉冲信号和已通过所述第二低通滤波器的第二脉冲信号来产生多个频率检测信号。
6.根据权利要求5所述的频率检测电路,
其中,所述第一低通滤波器包括多个第一反相器,
其中,所述第二低通滤波器包括多个第二反相器,
其中,在所述多个第一反相器中包括的PMOS晶体管的沟道长度比在所述多个第二反相器中包括的PMOS晶体管的沟道长度短,以及
其中,在所述多个第一反相器中包括的NMOS晶体管的沟道长度比在所述多个第二反相器中包括的NMOS晶体管的沟道长度短。
7.根据权利要求5所述的频率检测电路,其中,所述判定电路通过检测所述第一脉冲信号的激活或去激活来产生第一频率检测信号,并且通过检测所述第二脉冲信号的激活或去激活来产生第二频率检测信号。
8.根据权利要求5所述的频率检测电路,其中,所述判定电路包括:
第一D触发器,其被配置为:经由其D端子接收使能信号,经由其时钟端子接收所述第一脉冲信号,以及经由其Q端子输出第一频率检测信号;以及
第二D触发器,其被配置为:经由其D端子接收所述使能信号,经由其时钟端子接收所述第二脉冲信号,以及经由其Q端子输出第二频率检测信号。
9.根据权利要求8所述的频率检测电路,
其中,当所述第一频率检测信号和所述第二频率检测信号被激活时,判定所述周期波的频率为低,
其中,当所述第一频率检测信号被激活且所述第二频率检测信号被去激活时,判定所述周期波的频率为中等,以及
其中,当所述第一频率检测信号和所述第二频率检测信号...
【专利技术属性】
技术研发人员:尹大镐,金成镇,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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