【技术实现步骤摘要】
一种热释电/光电双功能集成传感器件
本专利技术涉及光电传感信息设备领域，特别是涉及一种热释电/光电双功能集成传感器件。
技术介绍
基于半导体材料的大量研究，光与电的能量转换效率逐步提升，光电传感器件在信息通讯、环境监测、安全防控、清洁能源、智能物联、自动化控制以及军工系统等应用工程领域中占据着重要地位。并随着微电子工艺的发展，小型化的、低功耗的、高性能的新型传感器件不断被设计出来，应用于极端条件下的工作环境。此外，结合材料的结构特性，所制备传感器件能够受第三端口的变量控制，或者能够实现对第三方物理量的探测，以使其功能具备特异性，满足复杂环境中的工作需求。一般，铁电性半导体材料在施加外电场后，内部的退极化场会使能带发生弯曲，从而与电极接触面的势垒高度改变，光电转换特征随即反应到伏安曲线。另外，铁电性半导体内部的正负电荷重心偏移，这提供了一种分离光激发电子空穴对的内建电势。根据上述的材料特性，铁电性半导体已被应用于太阳能电池、光电传感等研究。与此同时，铁电性材料所属的非中心反对称性结构，合适的光照下能够产生温度变化，使得...
【技术保护点】
1.一种热释电/光电双功能集成传感器件，其特征在于，包括：光电传感阵列以及导电接线金属薄膜层；/n所述光电传感阵列设于所述导电接线金属薄膜层上；所述光电传感阵列包括多个光电传感单元；所述光电传感单元包括铁电性半导体薄膜层以及透明导电薄膜层；所述铁电性半导体薄膜层以及所述透明导电薄膜层形成异质结；所述透明导电薄膜层包括顶电极薄膜层以及底电极薄膜层；所述顶电极薄膜层、所述铁电性半导体薄膜层以及所述底电极薄膜层构成肖特基势垒；所述铁电性半导体薄膜层为含有氧空位的多晶型薄膜层，所述铁电性半导体薄膜层具有热释电效应。/n
【技术特征摘要】
1.一种热释电/光电双功能集成传感器件，其特征在于，包括：光电传感阵列以及导电接线金属薄膜层；
所述光电传感阵列设于所述导电接线金属薄膜层上；所述光电传感阵列包括多个光电传感单元；所述光电传感单元包括铁电性半导体薄膜层以及透明导电薄膜层；所述铁电性半导体薄膜层以及所述透明导电薄膜层形成异质结；所述透明导电薄膜层包括顶电极薄膜层以及底电极薄膜层；所述顶电极薄膜层、所述铁电性半导体薄膜层以及所述底电极薄膜层构成肖特基势垒；所述铁电性半导体薄膜层为含有氧空位的多晶型薄膜层，所述铁电性半导体薄膜层具有热释电效应。
2.根据权利要求1所述的热释电/光电双功能集成传感器件，其特征在于，所述铁电性半导体薄膜层设于所述顶电极薄膜层以及所述底电极薄膜层之间；所述顶电极薄膜层的上表面设有顶电极布线层；所述底电极薄膜层的下表面设有底电极布线层。
3.根据权利要求1所述的热释电/光电双功能集成传感器件，其特征在于，所述光电传感阵列的排列布局为二维平铺网络、六角蜂窝结构或三维堆叠网络。
4.根据权利要求1所述的热释电/光电双功能集成传感器件，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：金立川，何昱杰，张岱南，向全军，廖宇龙，白飞明，钟智勇，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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