化学气相沉积设备及导流盘制造技术

本发明专利技术实施例涉及化学气相沉积设备及导流盘。本发明专利技术实施例提供一种导流盘，其包含：盘体，其具有多个贯穿孔；第一区，其从中心到所述盘体的第一半径，具有第一电导；第二区，其从所述第一半径到所述盘体的第二半径，具有第二电导；第三区，其从所述第二半径到所述盘体的第三半径，具有第三电导，其中所述第一半径小于所述第二半径，所述第二半径小于所述第三半径，且所述第二电导大于所述第一电导。还公开一种包含所述导流盘的化学气相沉积CVD设备。

Chemical vapor deposition equipment and guide plate

【技术实现步骤摘要】
化学气相沉积设备及导流盘
本专利技术实施例是有关化学气相沉积设备及导流盘。
技术介绍
各种固态装置的制造要求使用平面衬底或其上装配有集成电路的半导体晶片。在IC制造工艺结束时晶片上的功能集成电路的最终数目或合格率对于半导体制造商来说至关重要，且晶片上的电路的合格率的提高为半导体制造的主要目标。在封装之后，晶片上的电路经测试，其中非功能裸片使用上墨工艺标记且晶片上的功能裸片经分离及出售。IC制造者通过利用规模经济来提高晶片上的裸片的合格率。从六到十二英寸直径测量的单晶片上可形成超过1000个裸片。在半导体生产业界中，使用各种处理步骤以在半导体晶片上制造集成电路。此些步骤包含不同材料层的沉积(所述层包含晶片衬底上的金属化层、钝化层及绝缘层)，以及光阻剥离及侧壁钝化聚合物层去除。举例来说，在现代存储器装置中，需要金属导体的多个层以在限定晶片上的电路时提供多层金属互连结构。半导体装置业界的当前努力为生产具有大小不断减小的密度越来越大的集成电路的半导体。此些目标是通过按比例缩小电路构件的大小的横向及竖直尺寸二者来达成。竖直按比例缩小要求晶片上的导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导流盘，其包括：/n盘体，其具有多个贯穿孔；/n第一区，其从中心到所述盘体的第一半径，具有第一贯穿孔密度；/n第二区，其从所述第一半径到所述盘体的第二半径，具有第二贯穿孔密度；/n第三区，其从所述第二半径到所述盘体的第三半径，具有第三贯穿孔密度，/n其中所述第一半径小于所述第二半径，所述第二半径小于所述第三半径，且所述第二贯穿孔密度大于所述第一贯穿孔密度。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,336;20190627 US 16/455,1721.一种导流盘，其包括：
盘体，其具有多个贯穿孔；
第一区，其从中心到所述盘体的第一半径，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈焕杰，王超群，吴至彧，蒯光国，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71