一种预判晶圆校准值的方法和存储介质技术

本发明专利技术公开了一种预判晶圆校准值的方法和存储介质，所述方法包括：设置晶圆校准图；获取晶圆扫描图，将所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图进行比对，并输出比对结果；所述比对结果包括所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图之间的校准值。当晶圆扫描图的位置调整时，其相较于晶圆校准图的校准值也相应调整，使得校准过程更加直观，有利于提高校准精度。

A method of predicting wafer calibration value and storage medium

【技术实现步骤摘要】
一种预判晶圆校准值的方法和存储介质
本专利技术涉及晶圆校准领域，特别涉及一种预判晶圆校准值的方法和存储介质。
技术介绍
在半导体制造行业，曝光设备是制程过程中的关键设备，该设备的光学物理极限、机械精度、设备稳定性都将直接影响到产品的特性。由于曝光设备存在一定的惯性，因而在曝光时往往容易出现对准偏差，导致上下叠层错位。为解决这一问题，通常的做法是根据上下层各测量点的偏差值分别在X和Y方向上取平均值，之后根据两个平均偏移值实现对晶圆或者掩膜的提前定量定向移动，并以此来克服设备惯性问题。现有的做法存在以下问题：(1)测量值数据只是最终在X方向和Y方向上的两个平均值，无法直观的体现晶片上各点测量值的变化趋势；(2)采用测量数据求平均值做为机台提前动作的指令值，无法兼顾局部的良率。
技术实现思路
为此，需要提供一种预判晶圆校准值的技术方案，用于解决现有的晶圆校准方法无法直观体现晶圆上各测量值的变化趋势的技术问题。为实现上述目的，专利技术人提供了一种预判晶圆校准值的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤:设置晶圆校准图；获取晶圆扫描图，将所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图进行比对，并输出比对结果；所述比对结果包括所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图之间的校准值。作为一种可选的实施例，所述晶圆校准图包括多个校准单元格，所述晶圆扫描图包括多个晶圆单元格，所述方法包括以下步骤:将各晶圆单元格上的坐标位置与各校准单元格进行比对，并输出比对结果。作为一种可选的实施例，所述校准单元格包括第一校准线和第二校准线，所述晶圆单元格包括横轴线和纵轴线，所述方法包括以下步骤：将各晶圆单元格的横轴线位置与所述第一校准线进行比对，记录第一偏移值；以及将将各晶圆单元格的纵轴线位置与所述第二校准线进行比对，记录第二偏移值。作为一种可选的实施例，所述方法包括：当晶圆单元格的横轴线位置位于所述第一校准线的左侧时，判定该晶圆单元格横轴负偏移，并记录横轴负向偏移值；当判定晶圆单元格的横轴线位置位于所述第一校准线的右侧时，判定该晶圆单元格横轴正偏移，并记录横轴正向偏移值；或者，当晶圆单元格的纵轴线位置位于所述第二校准线的上侧时，判定该晶圆单元格纵轴正偏移，并记录纵轴正向偏移值；当判定晶圆单元格的纵轴线位置位于所述第二校准线的下侧时，判定该晶圆单元格纵轴负偏移，并记录纵轴纵向偏移值。作为一种可选的实施例，所述方法包括：根据位置调整参数对所述晶圆扫描图的相对于所述晶圆校准图的位置进行调整。专利技术人还提供了一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如前文所述的方法步骤。区别于现有技术，上述技术方案所述的预判晶圆校准值的方法和存储介质，所述方法包括：设置晶圆校准图；获取晶圆扫描图，将所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图进行比对，并输出比对结果；所述比对结果包括所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图之间的校准值。当晶圆扫描图的位置调整时，其相较于晶圆校准图的校准值也相应调整，使得校准过程更加直观，有利于提高校准精度。附图说明图1为本专利技术一具体实施方式涉及的晶圆图表的示意图；图2为本专利技术另一具体实施方式涉及的晶圆图表的示意图；图3为本专利技术另一具体实施方式涉及的晶圆图表的示意图；图4为本专利技术另一具体实施方式涉及的晶圆图表的示意图；图5为本专利技术另一具体实施方式涉及的晶圆图表的示意图；图6为本专利技术另一具体实施方式涉及的晶圆图表的示意图；图7为本专利技术另一具体实施方式涉及的晶圆图表的示意图；图8为本专利技术另一具体实施方式涉及的晶圆图表的示意图；图9为本专利技术一具体实施方式涉及的的预判晶圆校准值的方法的流程图；图10为本专利技术另一具体实施方式涉及的的预判晶圆校准值的方法的流程图。具体实施方式为详细说明技术方案的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。请参阅图9，为本专利技术一具体实施方式涉及的预判晶圆校准值的方法的流程图。所述方法包括以下步骤:首先进入步骤S901设置晶圆校准图；而后进入步骤S902获取晶圆扫描图，将所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图进行比对，并输出比对结果；所述比对结果包括所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图之间的校准值。优选的，所述晶圆校准图包括多个校准单元格，所述晶圆扫描图包括多个晶圆单元格，所述方法包括以下步骤:将各晶圆单元格上的坐标位置与各校准单元格进行比对，并输出比对结果。通过比对各晶圆单元格上的坐标位置与各校准单元格的相对位置，可以获知当前晶圆相较于校正单元格的偏移量，使得校准过程更加直观。在某些实施例中，所述校准单元格包括第一校准线和第二校准线，所述晶圆单元格包括横轴线和纵轴线，所述方法包括以下步骤：将各晶圆单元格的横轴线位置与所述第一校准线进行比对，记录第一偏移值；以及将将各晶圆单元格的纵轴线位置与所述第二校准线进行比对，记录第二偏移值。优选的，所述方法包括：当晶圆单元格的横轴线位置位于所述第一校准线的左侧时，判定该晶圆单元格横轴负偏移，并记录横轴负向偏移值；当判定晶圆单元格的横轴线位置位于所述第一校准线的右侧时，判定该晶圆单元格横轴正偏移，并记录横轴正向偏移值；或者，当晶圆单元格的纵轴线位置位于所述第二校准线的上侧时，判定该晶圆单元格纵轴正偏移，并记录纵轴正向偏移值；当判定晶圆单元格的纵轴线位置位于所述第二校准线的下侧时，判定该晶圆单元格纵轴负偏移，并记录纵轴纵向偏移值。这样，通过各晶圆单元格对应的横轴负向偏移值、横轴正向偏移值、纵轴正向偏移值和纵轴纵向偏移值这四个校准值，就可以清晰的获知当前晶圆的整体情况，使得晶圆的校准过程变成更加直观，调整方便。在某些实施例中，所述方法包括：根据位置调整参数对所述晶圆扫描图的相对于所述晶圆校准图的位置进行调整。所述位置调整参数包括横坐标、纵坐标和角度偏移量，当接收到位置调整参数时，系统可以根据位置调整参数对晶圆扫描图所在位置左移、右移、上移、下移、顺时针旋转、逆时针旋转等操作，从而可以模拟出晶圆各测试点的校准变化趋势，进而确定出最合适的位置调整参数，兼顾晶圆的局部良率。专利技术人还提供了一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如前文所述的方法步骤。苏搜存储介质为具有存储功能的电子元件，如硬盘、软盘、U盘、云盘等等。如图1至8所示，针对现有技术中方法无法直观获知晶圆校准过程中变化趋势的缺点，本专利技术提出一种可以将对准数据直观的转化为测量值变化趋势的晶圆图表，同时该晶圆图表具备模拟曝光设备提前调整测量后测量值的分布趋势，并可以再原有基础上计算出模拟情况下设备调整测量值后的良率，实现对机台提前设备移动量移动方向等值做出准确的预测。该晶圆图表如图1所示，其中底部实体线条为晶片上各个SHOT的边界位置；虚线为晶圆测量值的参考线；中间横四纵四分布的网格为晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种预判晶圆校准值的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤:/n设置晶圆校准图；/n获取晶圆扫描图，将所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图进行比对，并输出比对结果；所述比对结果包括所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图之间的校准值。/n

【技术特征摘要】
1.一种预判晶圆校准值的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤:
设置晶圆校准图；
获取晶圆扫描图，将所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图进行比对，并输出比对结果；所述比对结果包括所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图之间的校准值。


2.如权利要求1所述的预判晶圆校准值的方法，其特征在于，所述晶圆校准图包括多个校准单元格，所述晶圆扫描图包括多个晶圆单元格，所述方法包括以下步骤:
将各晶圆单元格上的坐标位置与各校准单元格进行比对，并输出比对结果。


3.如权利要求2所述的预判晶圆校准值的方法，其特征在于，所述校准单元格包括第一校准线和第二校准线，所述晶圆单元格包括横轴线和纵轴线，所述方法包括以下步骤：
将各晶圆单元格的横轴线位置与所述第一校准线进行比对，记录第一偏移值；以及将将各晶圆单元格的纵轴线位置与所述第二校准线进行比对，记录第二偏移值。


4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智广，吴淑芳，黄光伟，马跃辉，吴靖，庄永淳，李立中，林伟铭，
申请(专利权)人：福建省福联集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35